文献

J-GLOBAL ID：201702295222675803   整理番号：17A0214185

GeSbTeベース記憶とセレクタデバイスのためのマルチドメインコンパクトモデリングと大規模3Dクロスポイントメモリアレイのシミュレーション【Powered by NICT】

Multi-domain compact modeling for GeSbTe-based memory and selector devices and simulation for large-scale 3-D cross-point memory arrays

著者 (11件)： Xu Nuo (Device Lab, Samsung Semiconductor America, San Jose, CA, 95134, USA) ,  Wang Jing (Device Lab, Samsung Semiconductor America, San Jose, CA, 95134, USA) ,  Deng Yexin (Device Lab, Samsung Semiconductor America, San Jose, CA, 95134, USA) ,  Lu Yang (Device Lab, Samsung Semiconductor America, San Jose, CA, 95134, USA) ,  Fu Bo (Device Lab, Samsung Semiconductor America, San Jose, CA, 95134, USA) ,  Choi Woosung (Device Lab, Samsung Semiconductor America, San Jose, CA, 95134, USA) ,  Monga Udit (Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-si, Gyeonggi-do, Korea) ,  Jeon Jongwook (Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-si, Gyeonggi-do, Korea) ,  Kim Jongchol (Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-si, Gyeonggi-do, Korea) ,  Lee Keun-Ho (Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-si, Gyeonggi-do, Korea) ,  Jung Eun Seung (Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-si, Gyeonggi-do, Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 7.7.1-7.7.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GeSeTe(GST)デバイス物理に存在するそれらの相関を捉えるために包括的物理方程式を電気的,熱的および相転移ドメインから開発した新しいコンパクトなモデル。GSTメモリセル操作中のいくつかの非理想的効果は細胞読取/書込マージンと信頼性問題に特に焦点を当てて研究した。最後に,大規模3Dクロスポイントメモリアレイ回路は,設計制約を調査するために開発された物理学ベースのモデルを使ってシミュレートした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 信頼性 ,  相転移 ,  制約条件 ,  記憶素子 ,  *三次元
準シソーラス用語： 書込マージン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： セレクタ ,  大規模 ,  3D ,  シミュレーション