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J-GLOBAL ID：201102276996322209   整理番号：11A1395836

Ce₂T₃X₅(T:遷移金属,X:Si,Ge)の高圧下電気抵抗

著者 (9件)： 内山登志行 (信州大 理) ,  鈴木皓司 (信州大 理) ,  川田達 (信州大 理) ,  中島美帆 (信州大 理) ,  天児寧 (信州大 理) ,  広瀬雄介 (大阪大 大学院) ,  本多史憲 (大阪大 大学院) ,  摂待力生 (大阪大 大学院) ,  大貫惇睦 (大阪大 大学院)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 66  号： 2 第3分冊  ページ： 580  発行年： 2011年08月24日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *電気抵抗率 ,  遷移金属化合物 ,  ケイ化物 ,  ゲルマニウム化合物 ,  セリウム化合物 ,  高圧 ,  *反強磁性体 ,  *Neel温度 ,  依存性 ,  圧力効果
準シソーラス用語： 圧力依存性

分類 (1件)： 磁性材料  (NA04040H)

タイトルに関連する用語 (5件)： 遷移金属 ,  Si ,  Ge ,  高圧 ,  電気抵抗