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J-GLOBAL ID:201102280378743586   整理番号:11A0972812

ZnO膜のダメージ評価方法の研究

著者 (2件):
資料名:
号:ページ: 31-37  発行年: 2011年03月 
JST資料番号: L5786B  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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安価で高効率の太陽電池として,化合物薄膜系のCu(In,Ga)Se2(CIGS)太陽電池が注目されている。この太陽電池では光吸収層となるGIGS層の上に溶液成長(CBD)法によってバッファ層を形成し,その上にZnO膜と透明導電層を積層する必要があるが,その成膜時に下地にダメージを与えると変換効率が低下する。本論ではその影響を評価する方法を研究した。バッファ層として厚さ50nmのCdSを用い,その上にスパッタおよびイオンプレーテイングを用いてZnO膜を作製し,さらに透明電極層を成膜して太陽電池を作製した。He-Neレーザを用いてプロセス毎のCIGS層のフォトルミネスセンス(PL)強度を測定し太陽電池特性との比較を行った結果,ZnO成膜前後のPL強度の比較により,ダメージの大きさを評価できることがわかった。
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分類 (2件):
分類
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酸化物薄膜  ,  太陽電池 
タイトルに関連する用語 (4件):
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