半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：三好秀和 , 岩▲崎▼ 幸邦 , 川又澄雄 , 中村友之 , 伊藤正和 , 高橋俊一 , 高松俊雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-326865
公開番号（公開出願番号）：特開2002-224878
特許番号：特許第3660294号
出願日： 2001年10月24日
公開日（公表日）： 2002年08月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上に樹脂絶縁膜を形成し、前記樹脂絶縁膜上にレーザ光を透過させる液体を供給し、前記樹脂絶縁膜に超音波振動を与えながら、前記液体を介して前記樹脂絶縁膜上の所定の位置にレーザ光を照射して、前記樹脂絶縁膜を所定のパターンに溝加工し、前記溝加工した樹脂絶縁膜に金属を充填してグローバル配線を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：