特許
J-GLOBAL ID:201103049544852500

赤外光源

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 和泉 良彦 ,  小林 茂
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-214019
公開番号(公開出願番号):特開2004-055983
特許番号:特許第3980432号
出願日: 2002年07月23日
公開日(公表日): 2004年02月19日
請求項(抜粋):
【請求項1】基板上に、少なくともバッファ層、チャネル層が順次堆積された半導体積層構造を上記基板表面までメサエッチングすることにより形成されるメサ形部からなる第1のチャネル領域と、 上記第1のチャネル領域の表面上に設けたバイアス印加用電極とを有する赤外発光素子を備えたことを特徴とする赤外光源。
IPC (1件):
H01L 33/00 ( 200 6.01)
FI (2件):
H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 N

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