研究者
J-GLOBAL ID：201001032312561105   更新日: 2024年04月17日

塩島 謙次

シオジマ ケンジ | SHIOJIMA Kenji
所属機関・部署：
福井大学 工学系部門 工学領域 電気・電子工学講座

福井大学 工学系部門 工学領域 電気・電子工学講座 について


職名： 教授
ホームページURL (1件)： http://fuee.u-fukui.ac.jp/~shiojima/integrated.html
研究分野 (1件)： 電子デバイス、電子機器
研究キーワード (1件)： 半導体、電子デバイス、電極界面
競争的資金等の研究課題 (15件)：
  • 2021 - 2024 新規THz波受送信素子向け低温成長Bi系混晶半導体中の欠陥の評価および制御
  • 2018 - 2021 近紫外光を用いた界面顕微光応答法による金属/半導体界面の劣化機構の2次元評価
  • 2017 - 2020 近赤外光励起THz波送受信素子向け低温成長GaAs系混晶半導体の欠陥の評価と制御
  • 2019 - 近紫外光を用いた界面顕微光応答法による金属/半導体界面の劣化機構の2次元評価
  • 2015 - 2018 顕微光応答法による金属/ワイドギャップ半導体界面の不均一な劣化機構の2次元評価
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論文 (91件)：
  • Hiroki Imabayashi, Kenji Shiojima, Tetsu Kachi. Mapping of ultra-high-pressure annealed n-GaN Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy. Materials Science in Semiconductor Processing. 2023. 162. 107536-(8)
  • Hiroki Imabayashi, Yuto Yasui, Fumimasa Horikiri, Yoshinobu Narita, Noboru Fukuhara, Tomoyoshi Mishima, and Kenji Shiojima. Characterization of peripheries of n-GaN Schottky contacts using scanning,internal photoemission microscopy. Jpn. J. Appl. Phys. 2022. 62. SA. SA1012-(7)
  • 塩島 謙次、今林 弘毅、三島 友義. へき開した自立n-GaN基板のm面に形成したAu/Niショットキー接触における表面処理の影響. 材料. 2022. 71. 10. 819-823
  • Kenji Shiojima, Yuto Kawasumi, Yuto Yasui, Yukiyasu Kashiwagi, and Toshiyuki Tamai. Estimation of uniformity in Schottky contacts between printed Ni electrode and,n-GaN by scanning internal photoemission microscopy. Japanese Journal of Applied Physics. 2022. 61. 8. 0856506-1-0856506-6
  • Kenji Shiojima, Ryo Matsuda, Fumimasa Horikiri, Yoshinobu Narita, Noboru Fukuhara, and Tomoyoshi Mishima. Mapping of Contactless Photoelectrochemical Etched GaN Schottky Contacts Using Scanning Internal Photoemission Microscopy --- Difference in Electrolytes ---. Japanese Journal of Applied Physics. 2022. 61. SC1059-1-SC1059-11
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MISC (66件)：
  • 塩島 謙次, 重宗 翼, 小泉 淳, 児島 貴徳, 柏木 行康, 斉藤 大志, 長谷川 貴洋, 千金 正也, 藤原 康文. Agナノインクの印刷により形成したAg/n-GaNショットキー接触の評価. マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集. 2016. 26. 263-266
  • 塩島 謙次, 山本 晋吾, 木原 雄平. Mapping of thermal degradation of Au/Ni/n-GaN Schottky diodes using scanning internal photoemission microscopy (電子部品・材料). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2014. 114. 337. 85-90
  • 塩島 謙次, 山本 晋吾, 木原 雄平. Mapping of thermal degradation of Au/Ni/n-GaN Schottky diodes using scanning internal photoemission microscopy (電子デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2014. 114. 336. 85-90
  • 塩島 謙次, 山本 晋吾, 木原 雄平. Mapping of thermal degradation of Au/Ni/n-GaN Schottky diodes using scanning internal photoemission microscopy (レーザ・量子エレクトロニクス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2014. 114. 338. 85-90
  • Kenji Shiojima, Hisashi Wakayama, Toshichika Aoki, Naoki Kaneda, Kazuki Nomoto, Tomoyoshi Mishima. High-temperature isothermal capacitance transient spectroscopy study on SiN deposition damages for low-Mg-doped p-GaN Schottky diodes. THIN SOLID FILMS. 2014. 557. 268-271
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特許 (28件)：
  • 評価方法、評価システム、半導体素子の製造方法、及び半導体素子
  • 顕微光応答法による結晶成長層の界面評価方法
  • 半導体変調素子
  • 半導体素子及びその製造方法
  • ショットキーダイオード
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書籍 (14件)：
  • Control of Semiconductor Interfaces
    Materials Science in Semiconductor Processing 2020
  • Semiconductor Process Integration 11
    The Electrochemical Society 2019 ISBN:9781623325824
  • Semiconductor Process Integration 10
    Electrochemical Society 2017 ISBN:9781623324643
  • 電気電子材料
    オーム社 2016 ISBN:9784274216787
  • Thin Solid Films
    Elsevier 2014
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講演・口頭発表等 (226件)：
  • 電圧印加界面顕微光応答法によるAu/Ni/薄層高濃度Mgドープp-GaN/n-GaN,ショットキー接触の二次元評価
    (第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023)
  • Photoelectrical Characterization of Heavily-doped p-SiC Schottky Contacts
    (2023 International Conference on Solid State Devices and Materials 2023)
  • 金属/GaNショットキー電極評価の変遷
    (電子情報通信学会電子部品・材料研究会(CPM)研究会 2023)
  • 界面顕微光応答法によるAu/Ni/p+-SiCショットキー接触の二次元評価
    (第70回応用物理学会春季学術講演会 2023)
  • 低温 MBE 成長 GaAsBi 層の光電評価
    (第70回応用物理学会春季学術講演会 2023)
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Works (1件)：
  • クイズゲームソフト”NHK紅白クイズ合戦”
    塩島 謙次 2009 -
学歴 (2件)：
  • 1989 - 1992 東京都立大学 工学研究科 電気工学専攻博士課程
  • 1989 - 1992 東京都立大学 大学院博士後期課程 電気工学専攻
経歴 (6件)：
  • 2017/04 - 現在 福井大学大学院 工学研究科電気・電子工学専攻 教授
  • 2007/04 - 2019/03 金沢工業大学 大学院工学研究科 高信頼ものづくり専攻(虎ノ門) 客員教授
  • 2007/04 - 2017/03 福井大学大学院 工学研究科電気・電子工学専攻 准教授
  • 2008/04 - 2016/03 福井工業高等専門学校 電子情報工学科 非常勤講師
  • 2006/04 - 2007/03 福井大学大学院 工学研究科電気・電子工学専攻 助教授
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委員歴 (41件)：
  • 2020/04 - 現在 独立行政法人日本学術振興会R025先進薄膜界面機能創成委員会 企画幹事長
  • 2018/06 - 現在 日本材料学会 編集委員会査読委員
  • 2011 - 現在 電子材料シンポジウム 論文委員
  • 2007 - 現在 応用物理学会 学術講演会プログラム編集委員
  • 2021/09 - 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021) Chair (Area 3 “Interconnection /3D Integrations/MEMS”)
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受賞 (4件)：
  • 2022/10 - ADMETA 2022 plus Poster Award Internal Photoemission Characterization for Low-Temperature-Grown GaAsBi Layers
  • 2012/03 - 電子情報通信学会北陸支部 平成23年度電気関係学会北陸支部連合大会優秀発表賞
  • 2009/03 - 電子情報通信学会 平成20年度エレクトロニクスソサイエティ活動功労賞
  • 2008/04 - 応用物理学会 JJAP(Japanese Journal of Applied Physics)貢献賞
所属学会 (32件)：
10th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-X) ,  独立行政法人日本学術振興会R025先進薄膜界面機能創成委員会 ,  日本材料学会 ,  2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023) ,  応用物理学会 ,  電子情報通信学会 ,  9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX) ,  9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX) ,  2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021) ,  独立行政法人日本学術振興会半導体界面制御技術154委員会 ,  日本材料学会 ,  平成30年度「省エネルギー等国際標準開発(国際標準分野)/GaN結晶の転位検出方法に関する国際標準化」、GaN結晶欠陥転位の検出WG ,  日本材料学会 ,  第31,32,33回電子材料シンポジウム ,  電子情報通信学会 ,  6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI) ,  電子情報通信学会 ,  MRS 2012 Spring Meeting ,  独立行政法人日本学術振興会半導体界面制御技術154委員会 ,  6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-6) ,  2011 SPIE Photonics West ,  第29,30回電子材料シンポジウム ,  電子情報通信学会 ,  電子情報通信学会北陸支部 ,  電気学会 ,  応用物理学会 ,  応用物理学会 ,  電気学会 ,  Electrochemical Society ,  応用物理学会 ,  応用物理学会 ,  電子情報通信学会
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