研究者
J-GLOBAL ID:201001032312561105   更新日: 2020年06月08日

塩島 謙次

シオジマ ケンジ | Shiojima Kenji
所属機関・部署:
職名: 教授
研究分野 (1件): 電子デバイス、電子機器
研究キーワード (1件): 半導体、電子デバイス、電極界面
競争的資金等の研究課題 (12件):
  • 2019 - 近紫外光を用いた界面顕微光応答法による金属/半導体界面の劣化機構の2次元評価
  • 2018 - 近紫外光を用いた界面顕微光応答法による金属/半導体界面の劣化機構の2次元評価
  • 2017 - 顕微光応答法による金属/ワイドギャップ半導体界面の不均一な劣化機構の2次元評価
  • 2016 - 顕微光応答法による金属/ワイドギャップ半導体界面の不均一な劣化機構の2次元評価
  • 2015 - 顕微光応答法による金属/ワイドギャップ半導体界面の不均一な劣化機構の2次元評価
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論文 (42件):
  • Kenji Shiojima, Hitoshi Kambara, Tokiyoshi Matsuda, Takashi Shinohe. Mapping the interfacial reaction of α-Ga2O3 Schottky contacts through scanning internal photoemission microscopy. Thin Solid Films. 2019. 685. 17-25
  • Kenji Shiojima, Masataka Maeda, Tomoyoshi Mishima. Scanning internal photoemission microscopy measurements of n-GaN Schottky contacts under applying voltage. Japanese Journal of Applied Physics. 2019. 58. SCCD02-1-SCCD02-7
  • Kenji Shiojima, Takanori Hashizume, Masaru Sato, Mayumi B. Takeyama. Mapping of a Ni/SiNx/n-SiC structure using scanning internal photoemission microscopy. Japanese Journal of Applied Physics. 2019. 58. SBBC02-1-SBBC02-6
  • Kenji Shiojima, Yukiyasu Kashiwagi, Tasuku Shigemune, Atsushi Koizumi, Takanori Kojima, Masashi Saitoh, Takahiro Hasegawa, Masaya Chigane, Yasufumi Fujiwara. Effect of surface treatment of printed Ag Schottky contacts on n-GaN epitaxial layers using Ag nanoink: Two dimensional characterization by scanning internal photoemission microscopy. Japanese Journal of Applied Physics. 2018. 57. 07MA01-1-07MA01-5
  • Hiroyoshi Imadate, Tomoyoshi Mishima, Kenji Shiojima. Electrical characteristics of n-GaN Schottky contacts on cleaved surfaces of free-standing substrates: Metal work function dependence of Schottky barrier height. Japanese Journal of Applied Physics. 2018. 57. 04FG13-1-04FG13-5
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MISC (9件):
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特許 (25件):
  • 半導体変調素子
  • 最適枕の判定方法及び判定装置
  • 半導体ウエハーの選別方法
  • ショットキーダイオードを作製するn-GaNウエハの選別法
  • T字型ゲート構造ナイトライド系電界効果トランジスタおよびその製造方法
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書籍 (12件):
  • Semiconductor Process Integration 11
    The Electrochemical Society 2019 ISBN:9781623325824
  • 電気電子材料
    オーム社 2016 ISBN:9784274216787
  • Thin Solid Films
    Elsevier 2014
  • 2014 GaNパワー/高周波デバイスの最新動向★徹底解説
    株)電子ジャーナル 2014
  • 2013化合物半導体技術大全CD-ROM版
    株式会社電子ジャーナル 2013
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講演・口頭発表等 (177件):
  • 界面顕微光応答法によるエッチングしたGaN表面の2次元評価
    (応用物理学会秋季学術講演会 2019)
  • 水素イオン注入n-GaNに誘起された正孔トラップの熱処理効果
    (応用物理学会秋季学術講演会 2019)
  • 界面顕微光応答法によるSiCウエハーに存在する構造欠陥の2次元評価
    (応用物理学会秋季学術講演会 2019)
  • 界面顕微光応答法によるN極性p形GaNショットキー電極の2次元評価
    (応用物理学会秋季学術講演会 2019)
  • 界面顕微光応答法による電気化学エッチングしたNi/GaNショットキーの2次元評価 (II)--n形とp形の比較-
    (応用物理学会秋季学術講演会 2019)
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Works (1件):
  • クイズゲームソフト”NHK紅白クイズ合戦”
    塩島 謙次 2009 -
学歴 (1件):
  • 1989 - 1992 東京都立大学
学位 (1件):
  • 界面顕微光応答法による金属/半導体接触の2次元評価に関する研究 (東京都立大学)
経歴 (1件):
  • 1992/04 - 2006/03 NTTフォトニクス研究所 研究主任
委員歴 (22件):
  • 2011 - 2015 第31,32,33回電子材料シンポジウム 論文委員
  • 2012 - 2013 応用物理学会 編集委員
  • 2012 - 2013 電子情報通信学会 編集委員
  • 2012 - 2013 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI) Vice chair of the International Technical Program Committee
  • 2010 - 2013 電子情報通信学会 ソサイエティ論文誌編集委員会査読委員
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受賞 (3件):
  • 2012/03 - 電子情報通信学会北陸支部 平成23年度電気関係学会北陸支部連合大会優秀発表賞
  • 2009/03 - 電子情報通信学会 平成20年度エレクトロニクスソサイエティ活動功労賞
  • 2008/04 - 応用物理学会 JJAP(Japanese Journal of Applied Physics)貢献賞
所属学会 (1件):
平成30年度「省エネルギー等国際標準開発(国際標準分野)/GaN結晶の転位検出方法に関する国際標準化」、GaN結晶欠陥転位の検出WG
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