特許

J-GLOBAL ID：201103057040617332

GaAs/AlGaAs薄膜の成長方法

発明者： 冷水 佐壽 ,  下村 哲 ,  岡本 恭典
出願人/特許権者： 冷水 佐壽 ,  下村 哲 ,  株式会社クボタ
代理人 (2件)： 北村 修一郎 ,  北村 修一郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-202007
公開番号（公開出願番号）：特開平7-147235
特許番号：特許第3027688号
出願日： 1994年08月26日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 表面が(411)A面となるGaAs基板(S)の(411)A面を被結晶成長面として、前記GaAs基板(S)を成長容器(1)内に配置し、この成長容器(1)を減圧後、前記GaAs基板(S)を加熱するとともに、Ga,Al,Asの単体又は化合物を供給して前記GaAs基板(S)上にエピタキシャル成長させて、前記GaAs基板(S)の(411)A面上にGaAs/Alx Ga1-x Asヘテロ薄膜を形成するGaAs/AlGaAs薄膜の成長方法であって、Alx Ga1-x As薄膜のAl混晶比を大きい値に選択するほど、加熱される前記GaAs基板(S)の基板温度の下限値を高い値に選択して、前記GaAs基板(S)を加熱するGaAs/AlGaAs薄膜の成長方法。

IPC (1件)：

H01L 21/203

FI (1件)：

H01L 21/203 M

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-146723
  
• 特開平2-015687
  
• 特開平2-015689