下村哲

シモムラサトシ | Shimomura Satoshi

所属機関・部署：
職名：教授

研究分野 (1件)：電子デバイス、電子機器

研究キーワード (11件)： III-V 化合物半導体 , 分子線エピタキシ , 超平坦ヘテロ界面 , 面発光レーザ , 量子細線 , III-V compound semiconductor , molecular beam epitaxy , uper-flat hetero-interface , stripe laser , vertical-cavity surface-emitting laser , quantum wire

競争的資金等の研究課題 (7件)：

2019 - 2022 異方的利得を利用したGaAsBi面発光レーザーの長波長化と偏光安定化の研究
2005 - 2007 巨大伝導帯オフセットをもつ量子井戸材料の探索と量子構造の作製
2003 - 2005 長波長帯面発光量子細線レーザの作製
2000 - 2002 InGaAs面発光量子細線レーザの開発
1997 - 1998 (775)BGaAs基板上の超高密度InGaAs/AlGaAs量子細線の研究

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論文 (162件)：

Yasuyoshi Mitsumori, Kentaro Uedaira, Satoshi Shimomura, Keiichi Edamatsu. Photoinduced Kerr rotation spectroscopy for microscopic spin systems using heterodyne detection. Optics Express. 2021. 29. 7. 10386-10394
Teruyoshi Matsuda, Kyohei Takada, Kohsuke Yano, Satoshi Shimomura, Yumiko Shimizu, Fumitaro Ishikawa. Twin defect-triggered deformations and Bi segregation in GaAs/GaAsBi core-multishell nanowires. Applied Physics Letters. 2020. 117. 11
Teruyoshi Matsuda, Kyohei Takada, Kosuke Yano, Rikuo Tsutsumi, Kohei Yoshikawa, Satoshi Shimomura, Yumiko Shimizu, Kazuki Nagashima, Takeshi Yanagida, Fumitaro Ishikawa. Controlling Bi Provoked Nanostructure Formation in GaAs/GaAsBi Core-Shell Nanowires. Nano Letters. 2019. 19. 12. 8510-8518
T. Matsuda, K. Takada, K. Yano, S. Shimomura, F. Ishikawa. Strain deformation in GaAs/GaAsBi core-shell nanowire heterostructures. Journal of Applied Physics. 2019. 125. 19. 194301-1-5
Eric Eugenio-Lopez, Christian Alejandro Mercado-Ornelas, Pallavi Kisan Patil, Irving Eduardo Cortes-Mestizo, Jose Angel Espinoza-Figueroa, Andrei Yu Gorbatchev, Satoshi Shimomura, Leticia Ithsmel Espinosa-Vega, Victor Hugo Mendez-Garcia. Self-ordering of InAs nanostructures on (631)A/B GaAs substrates. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2018. 57. 2

MISC (512件)：

Pallavi Kisan Patil, Satoshi Shimomura, Fumitaro Ishikawa, Esperanza Luna, Masahiro Yoshimoto. Strategic Molecular Beam Epitaxial Growth of GaAs/GaAsBi Heterostructures and Nanostructures. Springer Series in Materials Science. 2019. 285. 59-96
矢野康介, 高田恭兵, PATIL Pallavi, 下村哲, 清水夕美子, 長島一樹, 柳田剛, 石川史太郎. Si(111)基板上GaAs/GaAsBiヘテロ構造ナノワイヤにおける微細構造成長. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2018. 65th. ROMBUNNO.18p-P8-10
塚本晟, 伊藤瑛悟, 檜垣興一郎, 田中佐武郎, 石川史太郎, 下村哲. MBE成長したGaAs/GaAsBi量子井戸のBi組成分布. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2018. 65th. ROMBUNNO.17p-F214-12
樋口憧生, 塚本晟, 伊藤瑛悟, 田中佐武郎, 石川史太郎, 下村哲. (001)GaAs基板上にMBE成長したGaAsBi/GaAs多重量子井戸の偏光依存PL. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2018. 65th. ROMBUNNO.17p-F214-11
樋口憧生, 佐々木大志, 塚本晟, 伊藤瑛悟, 山田光起, PATIL Pallavi, 石川史太郎, 下村哲. 2温度成長法で作製したGaAsBi/GaAs多重量子井戸LEDの温度特性. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2017. 78th. ROMBUNNO.5p-C21-3

特許 (5件)：

書籍 (3件)：

薄膜ハンドブック
オーム社 2008
表面物性工学ハンドブック第2版
丸善 2007
エピタキシャル成長のメカニズム
共立出版 2002 ISBN:4320034120

講演・口頭発表等 (464件)：

[18p-B31-14] GaAs基板を用いたマイクロレンズの設計
(応用物理学会秋季学術講演会2019年9月18日-21日北海道大学札幌キャンパス北海道札幌市 2019)
[18p-B31-13] GaAs基板上に作製したマイクロレンズ
(応用物理学会秋季学術講演会2019年9月18日-21日北海道大学札幌キャンパス北海道札幌市 2019)
[18a-B31-9] (221)A,B GaAs基板上のGaAsBi/GaAs量子井戸のホトルミネッセンス
(応用物理学会秋季学術講演会2019年9月18日-21日北海道大学札幌キャンパス北海道札幌市 2019)
[18a-B31-8] (100) GaAs基板上GaAsBi/GaAs量子井戸のAs flux依存性
(応用物理学会秋季学術講演会2019年9月18日-21日北海道大学札幌キャンパス北海道札幌市 2019)
Si(111)基板上GaAs/GaAsBiマルチコア-シェルナノワイヤの特性
(応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2016)

学歴 (3件)：

1984 - 1987 大阪大学大学院理学研究科物理学専攻
1982 - 1984 大阪大学大学院理学研究科物理学専攻
1978 - 1982 大阪大学理学部物理学科

学位 (1件)：

理学博士 (大阪大学)

経歴 (6件)：

2006/04 - 現在愛媛大学大学院理工学研究科教授
2003/04 - 2006/03 大阪大学大学院基礎工学研究科・物質創成専攻・物性物理工学領域・ナノ量子物理講座准教授
1997/04 - 2003/03 大阪大学大学院基礎工学研究科助教授
1996/04 - 1997/03 大阪大学基礎工学部・物性物理学工学科講師
1989/10 - 1992/03 大阪大学基礎工学部・物性物理学工学科助手

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受賞 (1件)：

1994 - 応用物理学会賞B(奨励賞)

所属学会 (4件)：

日本物理学会 , 応用物理学会 , Japan Physical Society , Japanese Society of Applied Physics

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