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J-GLOBAL ID：201202215240260127   整理番号：12A1438570

サファイアm面(10-10)基板上ZnTe薄膜の作製と極点図による評価

著者 (4件)： 中須大蔵 (早大 先進理工) ,  小林正和 (早大 先進理工) ,  小林正和 (早大 材研) ,  朝日聡明 (JX金属)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 73rd  ページ： ROMBUNNO.14P-H8-2  発行年： 2012年08月27日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *サファイア ,  *テルル化亜鉛 ,  *薄膜 ,  *極点図 ,  基板 ,  *MBE成長 ,  バッファ層 ,  *鉱石 ,  *宝石

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (6件)： サファイア ,  ZnTe ,  薄膜 ,  作製 ,  極点図 ,  評価