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J-GLOBAL ID：201202225209859890   整理番号：12A1438340

金属アシスト化学エッチングを用いたシリコンナノワイヤの作製

著者 (4件)： 山田道洋 (慶応大 理工) ,  伊藤公平 (慶応大 理工) ,  山田道洋 (JST-CREST) ,  伊藤公平 (JST-CREST)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 73rd  ページ： ROMBUNNO.12A-F1-7  発行年： 2012年08月27日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  *エッチング ,  金属触媒
準シソーラス用語： *シリコンナノワイヤ ,  *化学エッチング

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： アシスト ,  化学エッチング ,  シリコンナノワイヤ ,  作製