特許
J-GLOBAL ID：201203040121444960

錯体

発明者：
舘 ▲祥▼光

舘 ▲祥▼光 について

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小林 憲史

小林 憲史 について

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東村 秀之

東村 秀之 について


出願人/特許権者：
住友化学株式会社

住友化学株式会社 について

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公立大学法人大阪市立大学

公立大学法人大阪市立大学 について


代理人 (2件)： 酒井 宏明 ,  寺崎 直
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-098931
公開番号（公開出願番号）：特開2012-229181
出願日： 2011年04月27日
公開日（公表日）： 2012年11月22日
要約：
【課題】多座ピリジル系の配位子と特定の配位子を組み合わせて用いることによって、膜状態で優れた発光量子効率を示す錯体を提供する。【解決手段】組成式(1)で表される錯体(式中、Mは金属のイオンであり、Yは-C(R4)=C(R5)-、-N=C(R6)-、-N(R7)-、-O-、又は-S-であり、Spは炭素原子数が1から18の範囲の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、Coreは炭素原子数が1から30の範囲のn+m価の炭化水素基か、又は、炭素原子数が1から30の範囲のn+m価のヘテロ化合物残基であり、R1は炭素原子数が1から18の範囲の直鎖状又は分岐状のアルキル基であり、mは0以上6以下の整数であり、nは2以上6以下の整数であり、Xはアニオンであり、a、b、及びcはそれぞれ独立に正の数である。)、及び該錯体を含有する膜を提供する。【化1】【選択図】なし
請求項（抜粋）：
下記組成式(1)で表される錯体。
IPC (6件)：
C07D 213/22 ,  C09K 11/06 ,  C07F 1/08 ,  C07F 9/655 ,  C07F 9/50 ,  H01L 51/50
FI (6件)：
C07D213/22 ,  C09K11/06 660 ,  C07F1/08 C ,  C07F9/655 ,  C07F9/50 ,  H05B33/14 B
Fターム (28件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107BB02 ,  3K107BB03 ,  3K107BB04 ,  3K107BB06 ,  3K107CC04 ,  3K107DD64 ,  4C055AA01 ,  4C055BA03 ,  4C055BA05 ,  4C055BA06 ,  4C055BA25 ,  4C055CA01 ,  4C055DA01 ,  4C055EA02 ,  4C055GA02 ,  4H048AA01 ,  4H048AA03 ,  4H048AB92 ,  4H048VA12 ,  4H048VA22 ,  4H048VA32 ,  4H048VA45 ,  4H048VB10 ,  4H050AA01 ,  4H050AA03 ,  4H050AB92
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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