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J-GLOBAL ID：201302221159458254   整理番号：13A1812350

バイポーラPBII法によるトレンチ形状物へのDLC成膜

Study of DLC Coating to the Trench-Shaped Pattern by Bipolar PBII

著者 (4件)： 平田祐樹 (東大 大学院) ,  PARK Wonsoon (東大 大学院) ,  CHOI Junho (東大 大学院工学系研究科) ,  加藤孝久 (東大 大学院工学系研究科)
資料名： トライボロジスト  (Journal of Japanese Society of Tribologists)
巻： 58  号： 11  ページ： 841-847  発行年： 2013年11月15日 
JST資料番号： F0390A  ISSN： 0915-1168  CODEN： TORAEO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究では,三次元DLCコーティング技術の確立を目的として,被コーティング物をトレンチ形状物とし,これにバイポーラ型プラズマ利用イオン注入・成膜法(Bipolar Plasma Based Ion Implantation and Deposition,以下バイポーラPBII法)によりDLC膜を作成し,膜の均一性,構造,機械的特性について評価した。これにより得た主な知見を次に示した。1)負のパルス電圧値の増加とともに膜厚は増大するが,膜のグラファイト化は進展し,硬さは低下すること,これについてはトレンチの上面,側面,底面ともに同じ傾向を示すこと,2)負のパルス電圧値の減少とともに,上面,側面,底面間の膜厚の均一性は向上すること,3)側面での膜厚,硬さは上面,底面に比べて減少すること,これは側面の形に沿ったイオンシースが形成されないため,イオンの入射量,入射エネルギーが小さくなるためであること,4)Gピーク位置とGピークの半値幅FWHM(G)の測定結果,いずれの負電圧値で成膜した場合でも,平板成膜時のGピーク位置とFWHM(G)の相関関係を示す曲線上から大きく外れないこと,また,Gピーク位置は上面,底面,側面の順に高波数側にシフトし,この順にグラファイト化が進行すること。

シソーラス用語： *イオン注入 ,  *DLC膜 ,  *溝 ,  イオンさや ,  *Raman分光分析 ,  *機械的性質 ,  膜厚 ,  押込硬さ ,  薄膜成長 ,  性能評価 ,  形状効果
準シソーラス用語： *PBII法【プラズマ】 ,  *トレンチ ,  *成膜

分類 (4件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C) ,  分光法と分光計一般  (BD07041Q) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

引用文献 (12件)：

• 1) J. ROBERTSON : Properties of Diamond-Like Carbon, Surf. Coat. Technol., 50, 3 (1992) 185.
• 2) X. D. YANG, T. SAITO, Y. NAKAMURA, Y. KONDO & N. OHTAKE : Mechanical Properties of DLC Films Prepared Inside of Micro-holes by Pulse Plasma CVD, Diamond and Related Materials, 13, 11-12 (2004) 1984.
• 3) J. R. CONRAD, J. L. RADTKE, R .A. DODD, F. J. WORZALA & N. C. TRAN : Plasma Source Ionimplantation Technique for Surface Modification of Materials, J. Appl. Phys., 62, 11 (1987) 4591.
• 4) S. MIYAGAWA, S. NAKAO, M. IKEYAMA & Y. MIYAGAWA : Deposition of Diamond-Like Carbon Films using Plasma Based Ion Implantation with Bipolar Pulses, Surf. Coat. Technol., 156, 1-3 (2002) 322.
• 5) M. PAULUS, L. STALS, U. RUDE & B. RAUSCHENBACH : Two-Dimensional Simulation of Plasma-Based Ion Implantation, J. Appl. Phys., 85, 2 (1999) 761.

タイトルに関連する用語 (5件)： バイポーラ ,  PBII法 ,  トレンチ ,  DLC ,  成膜