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J-GLOBAL ID：201302235919160863   整理番号：13A0983160

パルス着磁に適したバルク超伝導体の合成

著者 (8件)： 山田幸正 (新潟大) ,  堀内拓磨 (新潟大) ,  福井聡 (新潟大) ,  小川純 (新潟大) ,  佐藤孝雄 (新潟大) ,  横山和哉 (足利工大) ,  LANGER Marco (IFW) ,  岡徹雄 (新潟大)
資料名： 低温工学・超電導学会講演概要集  (低温工学・超電導学会研究発表会講演概要集)
巻： 87th  ページ： 67  発行年： 2013年05月13日 
JST資料番号： G0564B  ISSN： 0919-5998  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： バルク超伝導体に対するパルス着磁法は静磁場着磁法に比べて簡便であるが,磁束線の運動の影響を無視できないため着磁性能は低い。そこで磁束侵入の経路を作製し磁束侵入を容易にする手法を研究した。バルク体の合成時に種結晶の位置や数を変え,それらにパルス磁場を印加して磁場捕捉性能を評価した。作製した幾つかの試料は通常のバルクより磁場侵入が早まり,複数の種結晶を用いた試料では,着磁に必要な印加磁場が大幅に低下して磁場の侵入が促進された。(著者抄録)

シソーラス用語： *高温超伝導体 ,  *イットリウムバリウム銅酸化物 ,  磁束ピン止め ,  臨界電流 ,  磁束 ,  *磁化 ,  磁場 ,  外部磁場 ,  印加磁場 ,  磁場侵入
準シソーラス用語： 磁束侵入 ,  *パルス着磁 ,  捕捉磁場

分類 (1件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (2件)： パルス着磁 ,  バルク超伝導体