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J-GLOBAL ID：201302254082060746   整理番号：13A1722860

各種面方位のサファイア基板上ZnTe薄膜の成長と配向方位制御

著者 (9件)： 中須大蔵 (早大 先進理工) ,  SUN W. (早大 先進理工) ,  山下聡太郎 (早大 先進理工) ,  相場貴之 (早大 先進理工) ,  田栗光祐 (早大 先進理工) ,  小林正和 (早大 先進理工) ,  小林正和 (早大 材研) ,  都甲浩芳 (NTT) ,  朝日聡明 (JX金属)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 74th  ページ： ROMBUNNO.16A-B4-3  発行年： 2013年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *テルル化亜鉛 ,  *薄膜成長 ,  配向 ,  基板 ,  サファイア ,  MBE成長 ,  極点図 ,  鉱石 ,  宝石

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 方位 ,  サファイア基板 ,  ZnTe ,  薄膜 ,  成長 ,  配向 ,  方位制御