特許
J-GLOBAL ID：201303028371010955
シリコンウェーハ中に存在する原子空孔の定量評価装置および方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (5件)：
杉村 憲司
, 杉村 興作
, 来間 清志
, 藤谷 史朗
, 澤田 達也
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-053229
公開番号（公開出願番号）：特開2007-263960
特許番号：特許第5008423号
出願日： 2007年03月02日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シリコン試料に対し外部磁場を印加する磁力発生手段と、
前記シリコン試料を50K以下の温度域に冷却・制御可能な温度制御手段と、
前記シリコン試料の表面に対し超音波パルスを発振し、発振させた前記超音波パルスを前記シリコン試料中に伝播させ、伝播した前記超音波パルスの音速変化を検出する超音波発振・検出手段と
を有し、
前記シリコン試料の表面に、前記温度域で温度降下に伴う前記シリコン試料の膨張に追随できる物性をもち、かつC軸が所定の方向に略揃った薄膜振動子を直接または金薄膜を介して形成してなり、
捕捉された電子が奇数個である原子空孔による10K〜20mKでの弾性定数の減少化には磁場依存性があり、一方、捕捉された電子が偶数個である原子空孔による10K〜20mKでの弾性定数の減少化には磁場依存性が無い特徴に基づき、弾性定数の減少に磁場依存性が有る場合はドープされたシリコン単結晶の原子空孔であり、弾性定数の減少に磁場依存性が無い場合は無添加のシリコン単結晶の原子空孔であると判定することを特徴とするシリコンウェーハ中に存在する原子空孔の定量評価装置。
IPC (2件)：
G01N 29/00 ( 200 6.01)
, G01N 29/24 ( 200 6.01)
審査官引用 (2件)
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特開平1-098960
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結晶欠陥測定方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-320457
出願人：富士通株式会社
引用文献：
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