半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤朝道
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-000187
公開番号（公開出願番号）：特開2008-263164
特許番号：特許第5154234号
出願日： 2008年01月04日
公開日（公表日）： 2008年10月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】シリコン半導体からなる半導体素子に流れる電流を用いて前記シリコン半導体を冷却する手段を備え、前記冷却する手段は、前記シリコン半導体と当接するN型材料よりなり前記電流は、前記N型材料内を、前記シリコン半導体と当接する面に直交する方向に流れ、前記N型材料の前記電流が流れる方向に直交する断面積は、前記シリコン半導体よりも大とされる、半導体装置。

IPC (2件)：