研究者
J-GLOBAL ID：201401033302730222   更新日: 2023年07月24日

呉 研

Yan Wu
研究分野 (4件)： ナノ構造物理 ,  薄膜、表面界面物性 ,  電気電子材料工学 ,  電子デバイス、電子機器
研究キーワード (3件)： シリサイド/Si接合 ,  ショットキー接合 ,  トンネルFET
競争的資金等の研究課題 (3件)：
  • 2016 - 2018 耐放射線照射性に優れた新規トンネルFETの動作実証
  • 2016 - 2017 トンネルFETの駆動電流向上のためのMgSi/Si接合のバンドオフセット観察及び制御
  • 2015 - 2016 MgSi/Siヘテロ接合を利用したSiベースTunnel FETの駆動性能向上
論文 (1件)：
講演・口頭発表等 (64件)：
  • Pocket構造によるトンネルFETの出力特性改善に関する検討
    (第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022)
  • p-n-i-n構造によるトンネルFETの出力特性改善に関する検討
    (第69回応用物理学会春季学術講演会 2022)
  • 高圧水蒸気中での陽極酸化法によるプロセス電流評価
    (日大理工学術講演会 2020)
  • ヘテロ接合TFETを用いたCMOS回路に関する検討
    (日大理工学術講演会 2020)
  • トンネルFETにおけるID-VD立ち上がり特性改善に関する検討
    (日大理工学術講演会 2020)
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学歴 (2件)：
  • 2011 - 2014 東京工業大学 総合理工学研究科 物理電子システム創造工学科
  • 2009 - 2011 東京工業大学 総合理工学研究科 物理電子システム創造工学科
学位 (1件)：
  • 東京工業大学 (東京工業大学)
経歴 (2件)：
  • 2020/04 - 2023/03 日本大学理工学部 電子工学科 助教
  • 2014/04 - 2020/03 日本大学理工学部 電子工学科 助手
受賞 (1件)：
  • 2016/05 - 日本信頼性学会 若手奨励賞 Tunnel FET構造による放射線照射誘起寄生バイポーラ効果低減
所属学会 (1件)：
日本応用物理学会
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