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J-GLOBAL ID：201702225120777088   整理番号：17A0643116

微細SOIデバイスの重イオン照射誘起寄生バイポーラ効果抑制

Suppression of heavy-ion irradiation induced parasitic bipolar effects in short channel SOI devices

著者 (3件)： 和田雄友 (日本大 大学院理工学研究科) ,  WU Yan (日本大 理工) ,  高橋芳浩 (日本大 理工)
資料名： 日本信頼性学会誌  (REAJ誌)
巻： 39  号： 3  ページ： 145-153  発行年： 2017年05月01日 
JST資料番号： L2778A  ISSN： 0919-2697  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ソース/ドレインにSiGeを適用した定電圧印加SOI-MOSFETおよびSOI-CMOSインバータにおける寄生バイポーラ効果の抑制および重イオン照射誘起レスポンスについてシミュレーションにより検討を行った。Ge濃度20%以上のSiGeを適用することにより寄生バイポーラ効果が抑制され,定電圧印加SOI-MOSFETの照射誘起電流および収集電荷量が低減されることがわかった。また,照射に伴うSOI-CMOSインバータの出力反転時間も短縮可能であることを確認した。また出力反転パルス幅は,ボディ領域に蓄積した電荷が対称デバイスの駆動電流により消費される時間により決定されることを明らかにした。(著者抄録)

シソーラス用語： *電子線誘起電流 ,  *重イオン照射 ,  *MOSFET ,  *SOI構造 ,  CMOS ,  インバータ ,  抑制 ,  *誤動作 ,  *放射線効果 ,  バイポーラトランジスタ ,  計算機シミュレーション ,  収集
準シソーラス用語： シングルイベント効果 ,  過渡電流 ,  *寄生バイポーラ効果 ,  電荷収集

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  イオンとの相互作用  (BK16070Z)

引用文献 (10件)：

• 高橋芳浩(2014):“半導体デバイスに対する宇宙放射線照射効果”,信頼性,Vol36,pp.460-467
• L.R. Hite et al. (1985) : “Transient Radiation Effects in SOI Memories,” IEEE Trans. on Nucl. Sci., Vol. NS-32, pp.4432-4437
• V.F. Cavrios, et al. (2005) : “Direct Measurement of Transient Pulses Induced by Laser and Heavy Ion Irradiation in Deca-Nanometer Device,” IEEE Trans. on Nucl. Sci., Vol.52, pp.2104-2113
• L.R. Hite et al. (1992) : “An SEU Resistant 256k SOI SRAM,” IEEE Trans. on Nucl. Sci., Vol. 39, pp.2121-2125
• R. C. Lacoe. (2008) : “Improving Integrated Circuit Performance through the Application of Hardness-by-Design Methodology,” IEEE Trans. on Nucl. Sci., Vol.55, pp.1903-1925

タイトルに関連する用語 (6件)： 微細 ,  SOI ,  重イオン照射 ,  誘起 ,  寄生 ,  バイポーラ