本庄弘明

ホンジョウヒロアキ | Honjo Hiroaki

所属機関・部署：
職名：教授
ホームページURL (2件)： http://www.cies.tohoku.ac.jp/ , http://www.cies.tohoku.ac.jp/english/

研究分野 (2件)：薄膜、表面界面物性 , 電子デバイス、電子機器

研究キーワード (3件)： MRAM , オービトロニクス , スピントロニクス

競争的資金等の研究課題 (2件)：

論文 (149件)：

H. Honjo, K. Nishioka, S. Miura, H. Naganuma, T. Watanabe, T. Nasuno, T. Tanigawa, Y. Noguchi, H. Inoue, M. Yasuhira, et al. 25 nm iPMA-type Hexa-MTJ with solder reflow capability and endurance>107 for eFlash-type MRAM. IEEE International electron devices meeting. 2022. 226-229
Hiroshi Naganuma, Hiroaki Honjo, Chikako Kaneta, Koichi Nishioka, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh. Influence of sidewall damage on thermal stability in quad-CoFeB/MgO interfaces by micromagnetic simulation. AIP Advances. 2022. 12. 000000-1-000000-11
H. Honjo, H. Naganuma, K. Nishioka, T. V. A. Nguyen, M. Yasuhira, S. Ikeda, T. Endoh. Influence of Iridium Sputtering Conditions on the Magnetic Properties of Co/Pt-Based Iridium-Synthetic Antiferromagnetic Coupling Reference Layer. IEEE Transactions on Magnetics. 2022. 58. 8. 1-1
H. Naganuma, S. Miura, H. Honjo, K. Nishioka, T. Watanabe, T. Nasuno, H. Inoue, T. V. A. Nguyen, Y. Endo, Y. Noguchi, et al. Advanced 18 nm Quad-MTJ technology overcomes dilemma of Retention and Endurance under Scaling beyond 2X nm. 2021. 2021-June
K. Nishioka, S. Miura, H. Honjo, H. Naganuma, T.V.A. Nguyen, T. Watanabe, S. Ikeda, T. Emdoh. Effect of Magnetic Coupling Between Two CoFeB Layers on Thermal Stability in Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions with MgO/CoFeB/Insertion Layer/CoFeB/MgO Free Layer. IEEE Transactions on Magnetics. 2021. 1-1

MISC (46件)：

特許 (63件)：

書籍 (1件)：

講演・口頭発表等 (42件)：

iPMA-type Hexa-MTJ for High Density eFlash-type MRAM
(8th CIES Forum 2023)
25 nm iPMA-type Hexa-MTJ with solder reflow capability and endurance>10^7 for eFlash-type MRAM IEEE International electron devices meeting
(IEDM2022 2022)
Influence of Iridium Sputtering Conditions on the Magnetic Properties of Co/Pt-Based Iridium-Synthetic Antiferromagnetic Coupling Reference Layer
(Joint MMM-Intermag Conference 2022)
Advanced 18 nm Quad-MTJ technology overcomes dilemma of Retention and Endurance under Scaling beyond 2X nm
(VLSI Symposium 2021)
Effect of Magnetic Coupling Between Two CoFeB Layers on Thermal Stability in Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions with MgO/CoFeB/Insertion Layer/CoFeB/MgO Free Layer
(IEEE International Magnetic Conference 2021)

学位 (2件)：

経歴 (2件)：

受賞 (2件)：

2016/10 - Dry Process Symposium Dry Process Symposium Paper Award
2011/06 - 日本応用物理学会 Best Paper Award: International Symposium on Dry Process 2011

所属学会 (1件)：

応用物理学会

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本庄 弘明