特許

J-GLOBAL ID：201803007282392461

磁気トンネル接合素子及び磁気メモリ

発明者： 佐藤 英夫 ,  堀川 喜久 ,  深見 俊輔 ,  池田 正二 ,  松倉 文▲礼▼ ,  大野 英男 ,  遠藤 哲郎 ,  本庄 弘明
出願人/特許権者： 国立大学法人東北大学
代理人 (3件)： 木村 満 ,  毛受 隆典 ,  佐藤 浩義
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016084372
公開番号（公開出願番号）：WO2017-086481
出願日： 2016年11月18日
公開日（公表日）： 2017年05月26日
要約：

磁気トンネル接合素子(10)は、強磁性体から構成される参照層(14)と、Oを含む障壁層(15)と、Co又はFeを含む強磁性体から構成される記録層(16)と、Oを含む第1の保護層(17)と、Pt、Ru、Co、Fe、CoB、FeB又はCoFeBの少なくとも1つを含む第2の保護層(18)と、が積層された構成を有する。

請求項（抜粋）：

強磁性体から構成される参照層と、 Oを含む障壁層と、 Co又はFeを含む強磁性体から構成される記録層と、 Oを含む第1の保護層と、 Pt、Ru、Co、Fe、CoB、FeB又はCoFeBの少なくとも1つを含む第2の保護層と、 が積層して構成された磁気トンネル接合素子。

IPC (5件)：

H01L 21/823 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/10 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

H01L27/105 447 ,  H01L43/10 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z

Fターム (34件)：

4M119AA11 ,  4M119AA20 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD08 ,  4M119DD17 ,  4M119DD32 ,  4M119DD42 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  5F092AA08 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB10 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BB55 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC18 ,  5F092BC22 ,  5F092BC42 ,  5F092BE27