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J-GLOBAL ID:201402216867667347   整理番号:14A1098432

電気化学エッチングによるGaN多孔質構造の形成と形状制御の向上

著者 (4件):
資料名:
巻: 75th  ページ: ROMBUNNO.18A-A27-1  発行年: 2014年09月01日 
JST資料番号: Y0055B  ISSN: 2758-4704  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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分類 (2件):
分類
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化成処理  ,  半導体薄膜 
タイトルに関連する用語 (4件):
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