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J-GLOBAL ID：201402218227744755   整理番号：14A0897614

Ar-GCIBによる極浅スパッタ効果 二次イオン質量分析への応用と有機物の選択的スパッタリング

著者 (1件)： 盛谷浩右 (兵庫県大)
資料名： クリーンテクノロジー  (Clean Technology)
巻： 24  号： 8  ページ： 53-57  発行年： 2014年08月10日 
JST資料番号： L1138A  ISSN： 0917-1819  CODEN： KTEKER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 低損傷なイオンビーム技術として開発したガスクラスタイオンビーム(GCIB)をプローブとした,二次イオン質量分析装置を用いた微量の表面汚染物の分析事例を紹介し,物質選択的スパッタリングについて解説した。アルゴンガスクラスタイオンを照射したポリマ表面の分析,ITOがらすなど無機材料表面の分析について述べた。GCIBによる有機物の選択的スパッタリングを調べ,Ar-GCIBの一原子あたりの平均運動エネルギーを制御することで,無機材料基板には原子レベルで損傷を与えず,表面に吸着した有機物のみを選択的にスパったできることが分かった。新しい表面スクリーニング技術として有望である。

シソーラス用語： *クラスタ分子 ,  *イオンビーム ,  *二次イオン質量分析 ,  *有機物 ,  *スパッタリング ,  *アルゴン ,  汚染物質 ,  運動エネルギー ,  無機材料 ,  スクリーニング
準シソーラス用語： 表面汚染物

分類 (2件)： 質量分析  (CC03013N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ar ,  スパッタ ,  二次イオン質量分析 ,  応用 ,  有機物 ,  スパッタリング