文献

J-GLOBAL ID：201402242519126830   整理番号：14A1055767

ガスフロースパッタ法によるFe₄NのGaAs上へのエピタキシャル成長

Epitaxial Growth of Fe₄N on GaAs by Gas Flow Sputtering

著者 (3件)： 佐久間洋志 (宇都宮大) ,  鈴木涼 (宇都宮大) ,  石井清 (宇都宮大)
資料名： 電気学会マグネティックス研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： MAG-14  号： 118-128  ページ： 11-14  発行年： 2014年08月04日 
JST資料番号： Z0924A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ガスフロースパッタ(GFS)法により空気中で熱処理したGaAs基板上に酸素を供給しないで鉄をスパッタ堆積させるとγ’-Fe₄Nが生成することを再現実験で確認した。550°Cの空気中で熱処理したGaAs基板を用いGFSチャンバー中で鉄をスパッタ堆積させる薄膜作成方法と,酸素導入の有無,酸素流量および堆積時間を変化させた作製条件を示した。透過型顕微鏡により酸素を導入しない条件で作製したFe相がγ’-Fe₄Nであることを確認した。微量の酸素を導入した条件で再現実験に成功した。堆積時間を変化させた条件でもγ’-Fe₄Nの薄膜の形成が確認されたと述べた。チャンバー内の窒素が供給源で窒素が消費されるとγ’-Fe₄Nの生成が止まると述べた。

シソーラス用語： *気体流 ,  *スパッタリング ,  *窒化物 ,  *鉄化合物 ,  *エピタクシー ,  *スパッタ蒸着 ,  ヒ化ガリウム ,  結晶構造 ,  *薄膜成長 ,  *磁性薄膜
準シソーラス用語： ガスフロー ,  窒化鉄 ,  面心立方構造

分類 (2件)： 磁性材料  (NA04040H) ,  金属薄膜  (BK14030T)

引用文献 (8件)：

• J. M. D. Coey and P. A. I. Smith: “Magnetic Nitrides”, J. Magn. Magn. Mater., Vol.200, pp.405-424 (1999)
• E. L. P. Blanca, J. Desimoni, N. E. Christensen, H. Emmerich, and S. Cottenier: “The Magnetization of γ'-Fe₄N: Theory vs. Experiment”, Phys. Status Solidi B, Vol.246, pp.909-928 (2009)
• S. Kokado, N. Fujima, K. Harigaya, H. Shimizu, and A. Sakuma: “Theoretical Analysis of Highly Spin-Polarized Transport in The Iron Nitride Fe₄N”, Phys. Rev. B. Vol.73, pp.172410/1-4 (2006)
• S. Isogami, M. Tsunoda, M. Oogane, A. Sakuma, and M. Takahashi: “Dependence of Magnetic Damping on Temperature and Crystal Orientation in Epitaxial Fe₄N Thin Films”, J. Magn. Soc. Jpn., Vol.38, pp.162-168 (2014)
• H. Sakuma, S. Hiyama, T. Kashiwakura, and K. Ishii: “Epitaxial Growth of Fe₃O₄ on GaAs by Gas Flow Sputtering”, Trans. Mater. Res. Soc. Jpn., Vol.33, No.4, pp.1305-1308 (2008)

タイトルに関連する用語 (4件)： ガスフロー ,  スパッタ法 ,  GaAs ,  エピタキシャル成長