文献

J-GLOBAL ID：201402261909511542   整理番号：14A1255574

電気化学エッチングを用いた窒化物半導体多孔質構造の形成

著者 (4件)： 渡部晃生 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  熊崎祐介 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  谷田部然治 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  佐藤威友 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ)
資料名： 電気化学秋季大会講演要旨集  (電気化学合同秋季大会講演要旨集)
巻： 2014  ページ： 191  発行年： 2014年09月27日 
JST資料番号： X0038A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *N型半導体 ,  *構造形成 ,  *エッチング ,  結晶成長 ,  基板 ,  紫外線照射 ,  光照射 ,  硫酸 ,  リン酸 ,  電解液 ,  細孔径 ,  深さ ,  電荷分布 ,  密度 ,  *細孔構造 ,  電子顕微鏡観察 ,  電荷密度 ,  *電気化学エッチング ,  走査電子顕微鏡法
準シソーラス用語： 細孔深さ ,  上面光照射 ,  走査電子顕微鏡観察 ,  *多孔質構造 ,  裏面光照射

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電気化学エッチング ,  窒化物半導体 ,  多孔質構造