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J-GLOBAL ID：201402265578817439   整理番号：14A1097765

MBE法を用いたサファイア基板上へのZnTeの横方向成長

著者 (13件)： 服部翔太 (早大 先進理工) ,  中須大蔵 (早大 先進理工) ,  山下聡太郎 (早大 先進理工) ,  相場貴之 (早大 先進理工) ,  SUN W. (早大 先進理工) ,  田栗光祐 (早大 先進理工) ,  風見蕗乃 (早大 先進理工) ,  木津健 (早大 先進理工) ,  小林正和 (早大 先進理工) ,  小林正和 (早大 材研) ,  朝日聡明 (JX金属) ,  武井勇樹 (早大 基幹理工) ,  宇高勝之 (早大 基幹理工)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 75th  ページ： ROMBUNNO.17P-A12-5  発行年： 2014年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MBE成長 ,  基板 ,  *テルル化亜鉛 ,  *半導体薄膜 ,  化合物半導体 ,  電子顕微鏡観察 ,  フォトリソグラフィー ,  エピタキシャル膜 ,  サファイア基板 ,  横方向成長

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： MBE ,  サファイア基板 ,  ZnTe ,  横方向成長