文献

J-GLOBAL ID：201402270106760224   整理番号：14A0050007

磁場侵入経路の導入を狙ったバルク超伝導体の合成

著者 (7件)： 堀内拓磨 (新潟大) ,  山田幸正 (新潟大) ,  小川純 (新潟大) ,  福井聡 (新潟大) ,  岡徹雄 (新潟大) ,  横山和哉 (足利工大) ,  LANGER Marco (IFW)
資料名： 低温工学・超電導学会講演概要集  (低温工学・超電導学会秋季講演概要集)
巻： 88th  ページ： 192  発行年： 2013年12月04日 
JST資料番号： G0564B  ISSN： 0919-5998  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： バルク超伝導体をパルス着磁する際,磁束線の運動による影響は無視できず磁場捕捉性能の低下に繋がる。そこで磁場侵入経路を導入した磁束侵入の容易なバルク超伝導体の作製法を研究した。バルク合成時に種結晶を2つ使用,その2つの種結晶間の距離を変更した資料を作成し,パルス着磁における磁場捕捉性能を評価した。種結晶1つのもと比較し磁場侵入が早く,低印加磁場での着磁が可能となり磁場の侵入が容易となった。(著者抄録)

シソーラス用語： *高温超伝導体 ,  *磁化 ,  捕獲 ,  *結晶成長 ,  磁束密度
準シソーラス用語： 磁場侵入 ,  *バルク超伝導体 ,  磁場捕捉 ,  捕捉

分類 (1件)： その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 磁場侵入 ,  経路 ,  バルク超伝導体