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J-GLOBAL ID：201402277550562611   整理番号：14A0487348

電気化学的手法によるIII-V族半導体多孔質構造の形成と高感度化学センサへの応用

ELECTROCHEMICAL FORMATION OF III-V SEMICONDUCTOR POROUS STRUCTURES FOR HIGHT-SENSITIVE SENSOR APPRICATIONS

著者 (3件)： 佐藤威友 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  渡部晃生 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  熊崎祐介 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ)
資料名： Chemical Sensors  (Chemical Sensors)
巻： 30  号： Supplement A  ページ： 64-66  発行年： 2014年03月29日 
JST資料番号： L3948A  CODEN： KAGSEU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 時折,スイッチングによるノイズが生じるが,全ての濃度において,電位は時間に対して直線的に変化した。また,本測定の濃度では,コレクタ極に供給された電子は全て,ゲル被覆電極の充電電流から賄われており,塩化銀の析出は確認されなかった。一部,サブnMの領域で測定誤差は存在したが,簡易な測定系において,従来と同等の測定感度を実現した。

シソーラス用語： 処理 ,  化合物半導体 ,  構造 ,  多孔質体 ,  多孔性 ,  構造形成 ,  *高感度 ,  *化学センサ ,  スイッチング ,  雑音 ,  被覆溶接棒 ,  電流 ,  塩化銀 ,  測定誤差 ,  電気化学的処理 ,  充電電流 ,  *III-V半導体
準シソーラス用語： *III-V族半導体 ,  *多孔質構造 ,  ノイズ ,  被覆電極

分類 (2件)： 計測機器一般  (AD02000X) ,  化学プロセスの測定,監視,計装  (XC02030Y)

引用文献 (13件)：

• P.Bergveld, IEEE Trans. Biomed. Eng.,17,70(1970).
• P.Bergveld, IEEE Trans. Biomed. Eng.,19,342(1972).
• M.Esashi, and T. Matsuo, IEEE Trans. Biomed. Eng.,25,184(1978).
• L.Bousse, N. F. De Rooij, and P. Bergveld, IEEE Trans. Electron Devices,30,1263(1983).
• M.-N.Niu, X.-F. Ding, Q.-Y. Tong, Sens. Actuators B,37,13(1996).

タイトルに関連する用語 (7件)： 電気化学 ,  手法 ,  III-V族半導体 ,  多孔質構造 ,  高感度 ,  化学センサ ,  応用