文献

J-GLOBAL ID：200902142621210123   整理番号：97A0287198

Si₃N₄-ゲートpH-ISFETsの特性に及ぼす二つの型の表面部位の効果

Effect of two types of surface sites on the characteristics of Si₃N₄-gate pH-ISFETs.

著者 (3件)： NIU M-N (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  DING X-F (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  TONG Q-Y (Southeast Univ., Nanjing, CHN)
資料名： Sensors and Actuators. B. Chemical  (Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 37  号： 1/2  ページ： 13-17  発行年： 1996年11月 
JST資料番号： T0967A  ISSN： 0925-4005  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サイト-結合モデルを基に,標記ISFETsにおける電解質-絶...

シソーラス用語： イオンセンサ ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0287198&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=T0967A") }}

分類 (2件)： 分析機器  (CC02020S) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si3N4 ,  ゲート ,  pH ,  型