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J-GLOBAL ID:200902142621210123   整理番号:97A0287198

Si3N4-ゲートpH-ISFETsの特性に及ぼす二つの型の表面部位の効果

Effect of two types of surface sites on the characteristics of Si3N4-gate pH-ISFETs.
著者 (3件):
資料名:
巻: 37  号: 1/2  ページ: 13-17  発行年: 1996年11月 
JST資料番号: T0967A  ISSN: 0925-4005  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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サイト-結合モデルを基に,標記ISFETsにおける電解質-絶...
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分類 (2件):
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分析機器  ,  トランジスタ 
タイトルに関連する用語 (4件):
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