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J-GLOBAL ID：201502215017251402   整理番号：15A1046891

電子ビーム蒸着Mo薄膜の(t-C₄H₉)₂S₂を用いた硫化による層状MoS₂の形成

著者 (10件)： 日比野祐介 (明治大) ,  石原聖也 (明治大) ,  澤本直美 (明治大) ,  大橋匠 (東京工大) ,  松浦賢太郎 (東京工大) ,  町田英明 (気相成長) ,  石川真人 (気相成長) ,  須藤弘 (気相成長) ,  若林整 (東京工大) ,  小椋厚志 (明治大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 76th  ページ： ROMBUNNO.15P-2U-6  発行年： 2015年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 硫化モリブデン ,  *電子ビーム蒸着 ,  半導体薄膜 ,  Ramanスペクトル ,  電子顕微鏡観察 ,  層状化合物 ,  薄膜成長 ,  X線光電子スペクトル ,  振動モード ,  透過型電子顕微鏡法 ,  *硫化モリブデン(IV)
準シソーラス用語： TEM【顕微鏡】 ,  *二硫化モリブデン

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

物質索引 (1件)： ジ-tert-ブチルスルフィド

タイトルに関連する用語 (6件)： 電子ビーム蒸着 ,  Mo ,  薄膜 ,  硫化 ,  層状 ,  MoS2