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J-GLOBAL ID：201502216025835908   整理番号：15A1045989

Cu₂O/GaNヘテロ構造の電気化学形成と光学的特性評価

著者 (4件)： 熊崎祐介 (北大 量集セ) ,  近江沙也夏 (北大 量集セ) ,  谷田部然治 (北大 量集セ) ,  佐藤威友 (北大 量集セ)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 76th  ページ： ROMBUNNO.14P-PA13-19  発行年： 2015年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化第二銅 ,  *窒化ガリウム ,  *ヘテロ接合 ,  *電気化学 ,  *光学的性質 ,  薄膜成長 ,  化合物半導体

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体の可視・紫外スペクトル  (BM08083Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： Cu2O ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  電気化学 ,  光学的特性 ,  評価