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J-GLOBAL ID：201502217343841530   整理番号：15A0505714

電気化学堆積法によるCu₂O/GaNヘテロ構造の形成と特性評価

著者 (4件)： 熊崎祐介 (北大 量集セ) ,  近江沙也夏 (北大 量集セ) ,  谷田部然治 (北大 量集セ) ,  佐藤威友 (北大 量集セ)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 62nd  ページ： ROMBUNNO.11A-D10-6  発行年： 2015年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化第一銅 ,  *窒化ガリウム ,  素子構造 ,  *電着 ,  Augerスペクトル ,  X線回折 ,  電子顕微鏡観察 ,  *ヘテロ構造 ,  走査電子顕微鏡法
準シソーラス用語： 電気化学堆積

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電気化学堆積 ,  Cu2O ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  特性評価