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J-GLOBAL ID：201502218666501441   整理番号：15A1044146

SiO₂マスクを用いたサファイア基板上ZnTeの選択成長

著者 (9件)： 服部翔太 (早大 先進理工) ,  中須大蔵 (早大 先進理工) ,  橋本勇輝 (早大 先進理工) ,  木津健 (早大 先進理工) ,  SUN W. (早大 先進理工) ,  風見蕗乃 (早大 先進理工) ,  小林正和 (早大 先進理工) ,  小林正和 (早大 材研) ,  朝日聡明 (JX日鉱日石金属)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 76th  ページ： ROMBUNNO.13A-1A-1  発行年： 2015年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,  化合物半導体 ,  *テルル化亜鉛 ,  MBE成長 ,  基板 ,  サファイア ,  マスク ,  二酸化ケイ素 ,  結晶方位 ,  電子顕微鏡観察 ,  走査電子顕微鏡 ,  選択成長 ,  鉱石 ,  宝石
準シソーラス用語： 領域選択成長

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiO2 ,  マスク ,  サファイア基板 ,  ZnTe ,  選択成長