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J-GLOBAL ID：201502256184268551   整理番号：15A0226874

電気化学エッチングによるGaN多孔質構造の形成

著者 (4件)： 渡部晃生 (北大 量集セ) ,  熊崎祐介 (北大 量集セ) ,  谷田部然冶 (北大 量集セ) ,  佐藤威友 (北大 量集セ)
資料名： 応用物理学会北海道支部・日本光学会北海道地区合同学術講演会講演予稿集  (応用物理学会北海道支部学術講演会・日本光学会北海道地区講演予稿集)
巻： 50th-11th  ページ： 58  発行年： 2015年01月09日 
JST資料番号： L5918A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  多孔質体 ,  *エッチング ,  電気化学 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： 多孔質構造 ,  電荷密度 ,  *電気化学エッチング

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電気化学エッチング ,  GaN ,  多孔質構造