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J-GLOBAL ID：201502283228395138   整理番号：15A0508254

S面サファイア基板上ZnTe薄膜の作製と成長方位関係の解析

著者 (13件)： 中須大蔵 (早大 先進理工) ,  山下聡太郎 (早大 先進理工) ,  相場貴之 (早大 先進理工) ,  木津健 (早大 先進理工) ,  服部翔太 (早大 先進理工) ,  SUN W. (早大 先進理工) ,  田栗光祐 (早大 先進理工) ,  風見蕗乃 (早大 先進理工) ,  小崎峻 (早大 先進理工) ,  橋本勇輝 (早大 先進理工) ,  小林正和 (早大 先進理工) ,  小林正和 (早大 材研) ,  朝日聡明 (JX日鉱日石金属)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 62nd  ページ： ROMBUNNO.13P-A17-4  発行年： 2015年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 基板 ,  ウエハ【IC】 ,  *テルル化亜鉛 ,  半導体材料 ,  半導体薄膜 ,  *薄膜成長 ,  極点図 ,  *電子顕微鏡観察 ,  結晶方位 ,  サファイア基板

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： サファイア基板 ,  ZnTe ,  薄膜 ,  作製 ,  成長方位 ,  解析