分子動力学法によるhigh-k/SiO<sub>2</sub>界面のダイポール形成シミュレーション(2)-酸素密度緩和モデルで説明できないMgO/SiO<sub>2</sub>界面ダイポールの再現-

功刀遼太; 橋口誠広; 志村昂亮; 小椋厚志; 小椋厚志; 佐藤真一; 佐藤真一; 渡邉孝信; 渡邉孝信; 渡邉孝信

文献

J-GLOBAL ID：201502296154150361 整理番号：15A0507866

分子動力学法によるhigh-k/SiO₂界面のダイポール形成シミュレーション(2)-酸素密度緩和モデルで説明できないMgO/SiO₂界面ダイポールの再現-

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資料名：
巻： 62nd ページ： ROMBUNNO.13A-A24-9 発行年： 2015年02月26日
JST資料番号： Y0054B ISSN： 2436-7613 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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電気物性一般

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分子動力学法によるhigh-k/SiO2界面のダイポール形成シミュレーション(2)-酸素密度緩和モデルで説明できないMgO/SiO2界面ダイポールの再現-

分子動力学法によるhigh-k/SiO₂界面のダイポール形成シミュレーション(2)-酸素密度緩和モデルで説明できないMgO/SiO₂界面ダイポールの再現-