特許

J-GLOBAL ID：201503077042895640

光電変換素子の製造方法および光水分解用電極

発明者： 池田 茂 ,  江 豊 ,  東 耕平
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社 ,  国立大学法人大阪大学 ,  人工光合成化学プロセス技術研究組合
代理人 (4件)： 渡辺 望稔 ,  三和 晴子 ,  伊東 秀明 ,  三橋 史生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-187032
公開番号（公開出願番号）：特開2015-056421
出願日： 2013年09月10日
公開日（公表日）： 2015年03月23日
要約：

【課題】光電変換効率が高い光電変換素子の製造方法および水を分解して水素を発生させることに利用される光水分解用電極を提供する。【解決手段】電変換素子の製造方法は、基板上に、電析法によりCu膜、Sn膜およびZn膜を備えるCu-Zn-Sn系金属積層膜を形成する第1の工程と、Cu-Zn-Sn系金属積層膜にアニールを施し、Cu-Zn-Sn系金属合金前駆体を形成する第2の工程と、Cu-Zn-Sn系金属合金前駆体を硫化し、CZTS膜を形成する第3の工程とを有する。第3の工程で形成されたCZTS膜は、表面の表面粗さが0.5μm以下である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、電析法によりCu膜、Sn膜およびZn膜を備えるCu-Zn-Sn系金属積層膜を形成する第1の工程と、 前記Cu-Zn-Sn系金属積層膜にアニールを施し、Cu-Zn-Sn系金属合金前駆体を形成する第2の工程と、 前記Cu-Zn-Sn系金属合金前駆体を硫化し、CZTS膜を形成する第3の工程とを有し、 前記第3の工程で形成された前記CZTS膜は、表面の表面粗さが0.5μm以下であることを特徴とする光電変換素子の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 31/06

FI (1件)：

H01L31/04 E

Fターム (5件)：

5F151AA10 ,  5F151CB15 ,  5F151CB24 ,  5F151FA06 ,  5F151GA03