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J-GLOBAL ID：201602211171461861   整理番号：16A0283843

サファイア基板の化学処理がZnTe薄膜のドメイン構造形成に与える効果

著者 (13件)： 中須大蔵 (早大 先進理工) ,  木津健 (早大 先進理工) ,  服部翔太 (早大 先進理工) ,  橋本勇輝 (早大 先進理工) ,  SUN W. (早大 先進理工) ,  風見蕗乃 (早大 先進理工) ,  WANG J. (早大 先進理工) ,  小高圭佑 (早大 先進理工) ,  玉川陽菜 (早大 先進理工) ,  山本洋輔 (早大 先進理工) ,  小林正和 (早大 先進理工) ,  小林正和 (早大 材研) ,  朝日聡明 (JX金属)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 63rd  ページ： ROMBUNNO.22A-H116-1  発行年： 2016年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  *テルル化亜鉛 ,  *MBE成長 ,  基板 ,  サファイア ,  結晶方位 ,  表面処理 ,  X線回折 ,  極点図 ,  分域構造 ,  鉱石 ,  宝石

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： サファイア基板 ,  化学処理 ,  ZnTe ,  薄膜 ,  ドメイン ,  構造形成