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J-GLOBAL ID：201602212510636097   整理番号：16A0942687

AlGaN/GaNヘテロ構造の光電気化学特性と低損傷加工技術への応用

著者 (3件)： 熊崎祐介 (北大 量集セ) ,  植村圭佑 (北大 量集セ) ,  佐藤威友 (北大 量集セ)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th  ページ： ROMBUNNO.16p-B1-9  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  素子構造 ,  *ヘテロ接合 ,  特性 ,  プラズマエッチング ,  *中性粒子ビーム ,  ヘテロ構造 ,  光電気化学特性 ,  *窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム ,  *ビーム
準シソーラス用語： *AlGaN/GaN

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  光電気化学特性 ,  損傷 ,  応用