文献

J-GLOBAL ID：201602225065514405   整理番号：16A1364288

Bi₂Te₃,Bi₂Te₂Se,およびBi₂Se₃テトラジマイトにおける共鳴準位,空孔,およびドーピング

Resonant Levels, Vacancies, and Doping in Bi2Te3, Bi2Te2Se, and Bi2Se3 Tetradymites

著者 (1件)： Wiendlocha Bartlomiej (Faculty of Physics and Applied Computer Science, AGH University of Science and Technology, Krakow, Poland)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 45  号： 7  ページ： 3515-3531  発行年： 2016年07月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 様々なドーパントと空孔を含むテトラジマイト,Bi₂Te₃,Bi₂Te₂Se,およびBi₂Se₃の電子構造は,第一原理計算を用いて研究されてきた。著者らは,共鳴準位(RL)の形成の可能性に注目し,Bi₂Te₃中のSnによるRLの形成を確認し,Bi₂Te₂SeおよびBi₂Se₃中のSnの同様の挙動を予測する。Bi₂Te₂SeおよびBi₂Se₃の実試料中のカルコゲン原子サイトに存在しそうな空孔も研究し,その帯電ドナーと共鳴挙動を考察する。空孔のドナー効果を補償するため,CaやMgなど普通のアクセプタによる空孔含有材料のドーピングを示し,ドーパント濃度を増加させながらn-pクロスオーバーを観測する。著者らは,Sn上のRLがBi₂Te₂SeまたはBi₂Se₃のカルコゲン空孔によって擾乱されず,そしてSnまたはTe空孔を有するSnドープ材料について,共鳴準位を得る効果的な方法として,Snによる高濃度ドーピングではなく,ダブルドーピングを提案する。これは,SnドープBi₂Te₂Seの熱電特性に及ぼすRLの影響に関する以前のうまくいかなかった実験観察の考えられる理由,RLの不鮮明化を防ぐのに役立つはずである。最後に,著者らはテトラジマイト中のAl及びGaが可能性のある新しい共鳴不純物であることを示し,これが更なる実験的研究を促進することを期待する。Copyright 2016 The Author(s) Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 熱電材料 ,  テルル化物 ,  *ビスマス化合物 ,  セレン化物 ,  *エネルギー準位 ,  *空格子点 ,  *ドーピング ,  スズ ,  不純物
準シソーラス用語： *セレン化ビスマス ,  *テルル化ビスマス ,  *共鳴準位

著者キーワード (3件)： Tetradymites ,  resonant levels ,  thermoelectrics

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (3件)： 共鳴準位 ,  空孔 ,  ドーピング