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J-GLOBAL ID：201602236967093802   整理番号：16A0595681

MoO_x/TiN界面におけるCu/MoO_x/TiN CBRAMのスイッチング

Switching of Cu/MoO_x/TiN CBRAM at MoO_x/TiN interface

著者 (3件)： Arita Masashi (Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, Kita-14, Nishi-9, Kita-Ku, Sapporo 060-0814, Japan) ,  Ohno Yuuki (Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, Kita-14, Nishi-9, Kita-Ku, Sapporo 060-0814, Japan) ,  Takahashi Yasuo (Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, Kita-14, Nishi-9, Kita-Ku, Sapporo 060-0814, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 213  号： 2  ページ： 306-310  発行年： 2016年02月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CBRAM微細構造を動的に観察するため,その場透過型電子顕微鏡(その場TEM)を抵抗スイッチング中のCu/MoO_x/TiNで行った。MoO_x/TiN界面近くの局所領域が抵抗スイッチングに寄与することを確かめた。MoO_x層の底に蒸着したCuはTiN底電極の酸化薄層中へ膨張して入り,3-5nm直径の細いフィラメントがセットプロセスで形成された。逆変化はリセットプロセスで見られた。スイッチング電力を増やすと,MoO_x層の微細構造変化も見られ,CBRAM膜は最後には破壊した。Copyright 2016 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,  酸化モリブデン ,  チタン化合物 ,  窒化物 ,  銅 ,  透過型電子顕微鏡 ,  その場観察 ,  スイッチング ,  フィラメント ,  電流電圧特性 ,  電極材料
準シソーラス用語： *CBRAM ,  窒化チタン ,  *抵抗スイッチング

著者キーワード (6件)： CBRAM ,  conductive filaments ,  copper ,  MoOx ,  ReRAM ,  transmission electron microscopy

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： TiN ,  界面 ,  Cu ,  CBRAM ,  スイッチング