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J-GLOBAL ID：201602240621405533   整理番号：16A1006839

RFマグネトロンスパッタリングデポジションで成長した(Na,K)NbO₃薄膜の構造と電気的性質に与えるアニーリング温度の効果

Effects of annealing temperature on structure and electrical properties of (Na, K)NbO3 thin films grown by RF magnetron sputtering deposition

著者 (10件)： Huang Jiewen (Department of Materials Science and Technology, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing, Jiangsu, China) ,  Liu Jinsong (Department of Materials Science and Technology, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing, Jiangsu, China) ,  Liu Jinsong (State Key Laboratory of Mechanics and Control of Mechanical Structures, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing, Jiangsu, China) ,  Li Ziquan (Department of Materials Science and Technology, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing, Jiangsu, China) ,  Li Ziquan (Chemical Engineering Department, Nanjing College of Chemical Technology, Nanjing, Jiangsu, China) ,  Zhu Kongjun (State Key Laboratory of Mechanics and Control of Mechanical Structures, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing, Jiangsu, China) ,  Wang Bijun (Department of Materials Science and Technology, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing, Jiangsu, China) ,  Gu Qinlin (State Key Laboratory of Mechanics and Control of Mechanical Structures, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing, Jiangsu, China) ,  Feng Bing (Department of Materials Science and Technology, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing, Jiangsu, China) ,  Qiu Jinhao (State Key Laboratory of Mechanics and Control of Mechanical Structures, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing, Jiangsu, China)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 27  号： 1  ページ： 899-905  発行年： 2016年01月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,(Na,K)NbO₃膜をRFマグネトロンスパッタリングでの成長に続いてアニーリング処理で製作し,そこでKNN雰囲気はアルカリ金属の揮発を防ぐために入れられている。KNN薄膜の構造と電気的性質に与えるアニーリング温度の効果を系統的に調べた。その結果,温度上昇でKNN膜はアルカリ元素の揮発と相遷移を伴って結晶化を開始する。膜の粒径と表面品質は密接にアニーリング温度と雰囲気に依存している。(100)優先配向,大きな粒径,密なモルフォロジ,アニーリング雰囲気はすべてKNN膜の電気的性質に良く働く。特に,200°Cでデポジットして650°CでアニールしたKNN膜は,2Pr=20.8μC/cm²の十分な分極と200kV/cmの2Ec抗電場を示した。Copyright 2015 Springer Science+Business Media New York Translated into Japanese from English by JST.

シソーラス用語： スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  膜構造 ,  *電気的性質 ,  温度 ,  カリウム化合物 ,  ナトリウム化合物 ,  ニオブ酸塩 ,  焼なまし ,  表面性状 ,  粒径 ,  X線回折 ,  曲線
準シソーラス用語： *RFマグネトロンスパッタリング ,  *アニーリング温度 ,  アニーリング処理 ,  *ニオブ酸カリウムナトリウム ,  ヒステリシスループ ,  表面品質

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： RFマグネトロンスパッタリング ,  ポジション ,  成長 ,  Na ,  薄膜 ,  電気的性質 ,  アニーリング温度