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J-GLOBAL ID：201602251621033049   整理番号：16A1364256

Y/p-GaN Schottkyダイオードの電気特性と電流輸送メカニズムに対するアニーリングの影響

Effects of Annealing on Electrical Characteristics and Current Transport Mechanisms of the Y/p-GaN Schottky Diode

著者 (3件)： Reddy V. Rajagopal (Department of Physics, Sri Venkateswara University, Tirupati, India) ,  Asha B. (Department of Physics, Sri Venkateswara University, Tirupati, India) ,  Choi Chel-Jong (School of Semiconductor and Chemical Engineering, Semiconductor Physics Research Center (SPRC), Chonbuk National University, Jeonju, Republic of Korea)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 45  号： 7  ページ： 3268-3277  発行年： 2016年07月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Y/p-GaN Schottky障壁ダイオード(SBD)の電気特性および電流輸送メカニズムに対するアニールの影響を調べた。アニーリングプロセス中のY Schottkyコンタクトの表面形態に大きな変化は見られなかった。堆積したままのY/p-GaN SBDのSchottky障壁高さ(SBH)は,0.95eV(I-V)/1.19eV(C-V)であると推定された。SBHは400°Cおよび500°Cでのアニーリング時に増加し,600°Cでのアニーリングでわずかに減少した。したがって,Y/p-GaN SBDの最大SBHは500°Cで達成され,1.01eV(I-V)/1.29eV(C-V)の値であった。さらに,SBH値は,Cheung,Norde,およびΨs-Vプロットによって推定され,互いに良好に一致することが判明した。異なるアニーリング温度でのI-V,CheungおよびNorde関数により,直列抵抗(RS)値も計算し,500°CでアニーリングしたSBDの界面準位密度が減少し,続いて600°Cでのアニールでわずかに増加した。SBDの順方向バイアス電流輸送メカニズムを,異なるアニーリング温度でのlogI-logVプロットによって調べた。筆者等の研究により,すべてのアニーリング温度でY/p-GaN SBDの逆漏れ電流がPoole-Frenkel放出メカニズムを支配することを明らかにした。Copyright 2016 The Minerals, Metals & Materials Society Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： イットリウム ,  *窒化ガリウム ,  *Schottky障壁ダイオード ,  電気特性 ,  輸送現象 ,  電流 ,  焼なまし ,  接触 ,  Schottky障壁 ,  表面準位 ,  *Poole-Frenkel効果
準シソーラス用語： GaN ,  Schottky接触 ,  アニール処理 ,  界面準位 ,  電流輸送

著者キーワード (6件)： Yttrium Schottky contacts ,  p-GaN ,  electrical properties ,  annealing ,  interface state density ,  current transport mechanisms

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  Schottkyダイオード ,  電気特性 ,  電流輸送 ,  メカニズム ,  アニーリング