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J-GLOBAL ID：201602255701421296   整理番号：16A1364262

非常に望ましいIII-V半導体の電子バンド構造:TB-mBJ DFT研究

Electronic Band Structures of the Highly Desirable III-V Semiconductors: TB-mBJ DFT Studies

著者 (14件)： Rehman Gul (Center for Computational Materials Science, University of Malakand, Chakdara, Pakistan) ,  Rehman Gul (Department of Physics, University of Malakand, Chakdara, Pakistan) ,  Shafiq M. (Center for Computational Materials Science, University of Malakand, Chakdara, Pakistan) ,  Shafiq M. (Department of Physics, University of Malakand, Chakdara, Pakistan) ,  Saifullah (Center for Computational Materials Science, University of Malakand, Chakdara, Pakistan) ,  Saifullah (Department of Physics, University of Malakand, Chakdara, Pakistan) ,  Ahmad Rashid (Department of Chemistry, University of Malakand, Chakdara, Pakistan) ,  Jalali-Asadabadi S. (Department of Physics, Faculty of Science, University of Isfahan (UI), Isfahan, Iran) ,  Maqbool M. (Department of Physics and Astronomy, Ball State University, Muncie, IN, USA) ,  Khan Imad (Center for Computational Materials Science, University of Malakand, Chakdara, Pakistan) ,  Khan Imad (Department of Physics, University of Malakand, Chakdara, Pakistan) ,  Rahnamaye-Aliabad H. (Department of Physics, Hakim Sabzevari University, Sabzevar, Iran) ,  Ahmad Iftikhar (Center for Computational Materials Science, University of Malakand, Chakdara, Pakistan) ,  Ahmad Iftikhar (Department of Physics, University of Malakand, Chakdara, Pakistan)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 45  号： 7  ページ： 3314-3323  発行年： 2016年07月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体の正しいバンドギャップは,オプトエレクトロニクスおよび他のフォトニックデバイスにおけるそれらの効果的な使用のために非常に望ましい。しかし,正確なバンドギャップの実験的および理論的結果は,かなり困難であり,時にはトリッキーである。本稿では,非常に望ましい光学材料,III-V半導体の電子バンド構造を調べた。これらの化合物の理論的なバンドギャップの非有効性の主な理由は,内部領域の原子球の外側に大きな割合の電子が存在するそれらの混合結合特性であり,これが適切な理論的考察にとって問題である。本稿では,最近開発された非規則的なTran-Blahaの改良Becke-Johnson(nTB-mBJ)法を用いて,電子の密度を適切に処理することにより,化合物のバンドギャップを再現し,首尾よく再現した。本研究はさらに,この理論的手法がIII-V半導体のバンドギャップエンジニアリングにも有用であることを示した。さらに,これらの化合物の光学特性も計算し,実験結果と比較した。Copyright 2016 The Minerals, Metals & Materials Society Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *バンド構造 ,  電子 ,  *オプトエレクトロニクス ,  固体素子 ,  光学素子 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： *III-V半導体 ,  フォトニックデバイス ,  *電子バンド構造

著者キーワード (4件)： non-regular TB-mBJ ,  electronic band structure ,  optical materials ,  III-V semiconductors

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： III-V半導体 ,  電子バンド構造 ,  Tb ,  DFT ,  研究