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J-GLOBAL ID：201602257982070136   整理番号：16A0454188

CVA法を用いたta-C:H成膜に及ぼすパルスバイアスの影響

著者 (3件)： 若江倫生 (岡山理大 技科研) ,  國次真輔 (岡山県工技セ) ,  中谷達行 (岡山理大 技科研)
資料名： 表面技術協会講演大会講演要旨集
巻： 133rd  ページ： 221  発行年： 2016年03月10日 
JST資料番号： Y0050A  ISSN： 0917-2947  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *炭素 ,  *イオンめっき ,  電流 ,  薄膜 ,  *四面体非晶質炭素 ,  真空アーク蒸着
準シソーラス用語： ta-C ,  アークイオンプレーティング ,  *テトラヘドラルアモルファスカーボン ,  バイアス電流

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： CVA ,  ta-C ,  成膜 ,  パルス ,  バイアス