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J-GLOBAL ID：201602261691940855   整理番号：16A0804552

新規1トランジスタ抵抗ゲート不揮発性メモリ【Powered by NICT】

A novel one transistor resistance-gate nonvolatile memory

著者 (4件)： Chung Steve S. (Department of Electronics Engineering & Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Taiwan) ,  Hsieh E. R. (Department of Electronics Engineering & Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Taiwan) ,  Yang S. P. (Department of Electronics Engineering & Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Taiwan) ,  Chuang C. H. (Department of Electronics Engineering & Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： DRC  ページ： 1-2  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 初めて,読み出しは,トランジスタV_thまたはI_d,フラッシュメモリのそれに類似したからしたが,トランジスタゲートの上に簡単なMIM構造から成る1トランジスタ抵抗ゲート不揮発性メモリ(RG-NVM)を提案した。二層MIM品質性能に望ましい。メモリのプログラム/消去操作はソース/ドレインとトップゲート間のエッジトンネリングによって行った。結果は,この記憶は良好な耐久性,保持を示し,従来のクロスバー抵抗変化型不揮発性メモリのスニークパス問題を解決できることを示した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *記憶装置 ,  MIM構造 ,  *トランジスタ ,  品質 ,  耐久性 ,  *不揮発性メモリ ,  フラッシュメモリ
準シソーラス用語： 抵抗変化 ,  トップゲート ,  二層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 記憶方式  (JC02040V) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  その他の計算機利用技術  (JE14000C)

タイトルに関連する用語 (3件)： トランジスタ ,  ゲート ,  不揮発性メモリ