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J-GLOBAL ID：201602264043129705   整理番号：16A1364284

mBJ交換ポテンシャルを用いたXRuSb:(X=V,Nb,Ta)セミホイスラー化合物の弾性的,光電子的および熱的特性の第一原理研究

First Principles Investigation of the Elastic, Optoelectronic and Thermal Properties of XRuSb: (X = V, Nb, Ta) Semi-Heusler Compounds Using the mBJ Exchange Potential

著者 (10件)： Bencherif K. (Laboratoire d’Etude des Materiaux and Instrumentations Optiques, Departement Materiaux et Developpement Durable, Faculte des Sciences Exactes, Universite Djillali Liabes de Sidi Bel Abbes, Sidi Bel Abbes, Algeria) ,  Yakoubi A. (Laboratoire d’Etude des Materiaux and Instrumentations Optiques, Departement Materiaux et Developpement Durable, Faculte des Sciences Exactes, Universite Djillali Liabes de Sidi Bel Abbes, Sidi Bel Abbes, Algeria) ,  Della N. (Departement des Sciences et Techniques, Faculte des Sciences et Technologies, Universite de Mascara, Mascara, Algeria) ,  Miloud Abid O. (Laboratoire d’Etude des Materiaux and Instrumentations Optiques, Departement Materiaux et Developpement Durable, Faculte des Sciences Exactes, Universite Djillali Liabes de Sidi Bel Abbes, Sidi Bel Abbes, Algeria) ,  Khachai H. (Laboratoire d’Etude des Materiaux and Instrumentations Optiques, Departement Materiaux et Developpement Durable, Faculte des Sciences Exactes, Universite Djillali Liabes de Sidi Bel Abbes, Sidi Bel Abbes, Algeria) ,  Ahmed R. (Department of Physics, Faculty of Science, Universiti Teknologi Malaysia, UTM, Skudai, Johor, Malaysia) ,  Khenata R. (Laboratoire de Physique Quantique de la Matiere et de Modelisation Mathematique (LPQ3M), Universite de Mascara, Mascara, Algeria) ,  Bin Omran S. (Department of Physics and Astronomy, College of Science, King Saud University, Riyadh, Saudi Arabia) ,  Gupta S. K. (Department of Physics, St. Xavier’s College, Ahmedabad, India) ,  Murtaza G. (Materials Modeling Lab, Department of Physics, Islamia College University, Peshawar, Pakistan)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 45  号： 7  ページ： 3479-3490  発行年： 2016年07月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： セミホイスラー材料は,スピントロニクスやグリーンエネルギー用途など,多様な用途に使用される可能性があるため,集中的に調査されている。この研究で著者らは,密度汎関数理論を用いて,VRuSb,NbRuSbおよびTaRuSbセミホイスラー化合物の構造的,電子的,弾性的,熱的および光学的な特性を計算する。格子定数,バルク係数およびそれらの対応する圧力微分値の計算結果は,以前の研究とかなりよく一致する。さらに,局所密度近似に加えて,改良Becke-Johnson交換ポテンシャルも,バンドギャップの値を改善するために使用する。結合性から,VRuSb,NbRuSb,TaRuSb化合物の共有結合およびイオン結合特性の混合を明らかにする。さらに,弾性定数(C_ij)および関連弾性係数により,立方晶相におけるその安定性を確認し,延性を実証する。著者らはまた,セミホイスラー化合物のプリミティブセル体積,熱容量,体積膨張係数,デバイ温度に及ぼす圧力と温度の影響を分析する。加えて,複素誘電関数,屈折率,反射率,エネルギー損失関数など,光学特性を調査する。Copyright 2016 The Minerals, Metals & Materials Society Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *化合物 ,  計算 ,  密度汎関数法 ,  弾性係数 ,  物理的性質 ,  熱特性 ,  *アンチモン化物 ,  *ルテニウム化合物 ,  バンド構造
準シソーラス用語： *セミホイスラー化合物 ,  光電子物性 ,  密度汎関数理論計算

著者キーワード (4件)： Elastic constants ,  optoelectronic properties ,  thermal properties ,  density functional theory

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (9件)： Nb ,  Ta ,  セミ ,  ホイスラー化合物 ,  弾性 ,  光電子 ,  熱的特性 ,  第一原理 ,  研究