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J-GLOBAL ID：201602264265415388   整理番号：16A0977844

28nm FDSOIにおける高速,柔軟性,正および負の適応ボディバイアス発生器【Powered by NICT】

A fast, flexible, positive and negative adaptive body-bias generator in 28nm FDSOI

著者 (6件)： Blagojevic Milovan (STMicroelectronics, Crolles, France) ,  Cochet Martin (STMicroelectronics, Crolles, France) ,  Keller Ben (Dept. of EECS, University of California, Berkeley, United States) ,  Flatresse Philippe (STMicroelectronics, Crolles, France) ,  Vladimirescu Andrei (Dept. of EECS, University of California, Berkeley, United States) ,  Nikolic Borivoje (Dept. of EECS, University of California, Berkeley, United States)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： VLSI Circuits  ページ： 1-2  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,プロセスと電圧補償及び動的エネルギー最適化での利用のための精密電圧ステップとサブ100ns応答時間を持つ完全集積化,小型基板バイアス発生器(BBG)を実証した。発電機は,UTBB FDSOIを28nmで実現し,わずか1.0Vコアと1.8V IO電圧入力を使用することである。モジュラー設計は標的移動SoCへの容易な統合を可能にする,任意の大きさのパワードメインに拡張可能である。微細分解能(5mV V_th),100nsフルスケールと5ns増分ステップ応答,低電力(<10μW),および1.2%の面積オーバヘッドは,細粒適応ボディバイアス(ABB)を可能にした。V_CORE変化の200mVに対して1%以内でターゲット周波数を動的に追跡するための能力を実験的に実証した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 周波数 ,  電圧 ,  分解能 ,  応答時間 ,  *高速度 ,  ステップ応答 ,  電圧補償 ,  モジュラ設計 ,  *柔軟性
準シソーラス用語： 低電力化 ,  システムオンチップ ,  *基板バイアス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： パターン認識  (JE07000S) ,  移動通信  (ND08030H)

タイトルに関連する用語 (4件)： FDSOI ,  適応 ,  ボディバイアス ,  発生器