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J-GLOBAL ID：201602274404718464   整理番号：16A1000728

OFETゲート誘電体としてのPVP-SiO₂-TMSPMハイブリッド薄膜の電気特性

Electrical Properties of PVP-SiO2-TMSPM Hybrid Thin Films as OFET Gate Dielectric

著者 (2件)： Bahari A. (Department of Solid State Physics, University of Mazandaran, Babolsar, Iran) ,  Shahbazi M. (Department of Solid State Physics, University of Mazandaran, Babolsar, Iran)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 45  号： 2  ページ： 1201-1209  発行年： 2016年02月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機-無機ポリビニルピロリドン-二酸化シリコン-3-(トリメトキシシリル)プロピルメタクリレート(PVP-SiO₂-TMSPM)ハイブリッド溶液がカップリング剤として異なる量のTMSPMと等量のPVPとSiO₂によるゾル-ゲルプロセスを使用して合成された。ハイブリッド溶液は,薄膜トランジスタに使用されるゲート誘電体材料としてp型Si(111)基板上にスピンコーティング法により塗布された。サンプルの構造特性はフーリエ変換遠赤外分光法とX線回折解析により調査された。原子間力顕微鏡および走査型電子顕微鏡はハイブリッド薄膜サンプルのトポグラフィーとモフォロジーの評価に使用された。電流-電圧(I-V)曲線,容量-電圧(C-V)測定および有機ハイブリッド薄膜ゲート誘電体の電気特性も金属/絶縁体/有機-半導体の構造にて調査された。結果によれば,J_GS曲線でのV_GSはゲートリーク電流密度は界面層でゲート誘電体材料として使用するには十分小さいことを示した。V_DS=30Vの飽和領域にてI_DS曲線のV_GSは,他のTMSPM重量比のサンプルに比較しTMSPM重量比0.05でのサンプルの低い誘電率(k=11.43)のため,高い荷電キャリア移動度(μ_FET,S=0.0584cm²s^-1V^-1)を示した。Copyright 2015 The Minerals, Metals & Materials Society Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *有機半導体 ,  絶縁膜 ,  *誘電体薄膜 ,  ポリビニルピロリドン ,  二酸化ケイ素 ,  *キャリア移動度 ,  ゾル-ゲル法 ,  電流電圧特性 ,  容量電圧特性 ,  *漏れ電流 ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： OFET ,  *有機電界効果トランジスタ ,  *ゲート誘電体 ,  PVP【ポリマ】 ,  *ゲートリーク電流

著者キーワード (3件)： PVP-SiO2-TMSPM ,  gate dielectric ,  charge carrier mobility

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (4件)： OFET ,  ゲート誘電体 ,  薄膜 ,  電気特性