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J-GLOBAL ID：201602276183012134   整理番号：16A1364313

鉛フリーKTa_0.5Nb_0.5O₃結晶の構造および電子特性に及ぼすサイトおよび酸素空孔の影響

Effect of A Site and Oxygen Vacancies on the Structural and Electronic Properties of Lead-Free KTa0.5Nb0.5O3 Crystal

著者 (7件)： Yang Wenlong (Department of Applied Science, Harbin University of Science and Technology, Harbin, People’s Republic of China) ,  Wang Li (Department of Applied Science, Harbin University of Science and Technology, Harbin, People’s Republic of China) ,  Lin Jiaqi (Department of Applied Science, Harbin University of Science and Technology, Harbin, People’s Republic of China) ,  Lin Jiaqi (Key Laboratory of Engineering Dielectrics and Its Application, Ministry of Education, Harbin University of Science and Technology, Harbin, People’s Republic of China) ,  Li Xiaokang (Department of Applied Science, Harbin University of Science and Technology, Harbin, People’s Republic of China) ,  Xiu Hanjiang (Department of Applied Science, Harbin University of Science and Technology, Harbin, People’s Republic of China) ,  Shen Yanqing (Department of Physics, Harbin Institute of Technology, Harbin, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 45  号： 7  ページ： 3726-3733  発行年： 2016年07月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Aサイト空孔V_K⁰,V_K^1-および酸素空孔V_O⁰,V_O²⁺を持つ鉛フリータンタル酸ニオブ酸塩Ta_0.5Nb_0.5O₃(KTN)の構造および電子特性を第1原理計算により調査した。その結果,形成エネルギーの調査により,KTNにAサイト空孔V_K⁰がV_K^1-と比較して形成される可能性が高いこと,および酸素空孔V_O²⁺がV_O⁰と比較してKTNに形成される可能性が高いことが分かった。これらの結果は,KおよびO空孔が原子の原子相互作用および材料の電子的性能に重要な影響を有することを示している。また,Ta原子は,KおよびO空孔を有するKTNの原子変位からのNb原子よりも,KおよびO空孔の影響を受けやすい。状態密度を調べた結果,空孔を有するKTN中の電子の補償が,Ta d,Nb d及びO p軌道の間でハイブリッド化をより強くすることを示した。さらに,電荷のある空孔を持つKTNのすべてのTaとNb原子のMulliken母集団は補完電子の影響を受ける。Nb-O結合の強さは,結合長およびMulliken母集団の変化に基づいてTa-Oよりも強い。Copyright 2016 The Minerals, Metals & Materials Society Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 計算 ,  *第一原理 ,  タンタル酸塩 ,  ニオブ酸塩 ,  エネルギー ,  生成熱 ,  *空格子点 ,  酸素 ,  変位 ,  結晶構造 ,  原子 ,  *ペロブスカイト型結晶
準シソーラス用語： *空孔【点欠陥】 ,  形成エネルギー ,  原子変位 ,  酸素空孔 ,  第一原理計算

著者キーワード (4件)： KTa0.5Nb0.5O3 ,  first principle ,  vacancies ,  electronic properties

分類 (2件)： 電気的性質  (WB02010Y) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： 鉛フリー ,  結晶 ,  電子 ,  酸素空孔