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J-GLOBAL ID：201602276798499643   整理番号：16A0857240

ブラックシリコンのマスクレス反応イオンエッチング調製及び光学性能の研究【JST・京大機械翻訳】

Fabrication and Optical Property of Black Silicon Prepared by Non-mask Reactive Ion Etching

著者 (3件)： Liao Naiman (Chongqing Optoelectronics Research Institute) ,  Xiang Pengfei (Chongqing Optoelectronics Research Institute) ,  Li Renhao (Chongqing Optoelectronics Research Institute)
資料名： Bandaoti Guangdian  (Bandaoti Guangdian)
巻： 37  号： 1  ページ： 41-44  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2379A  ISSN： 1001-5868  CODEN： BAGUE5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： マスクレス反応イオンエッチングを用いて,ブラックシリコンを調製した。走査電子顕微鏡および紫外-可視-NIR分光光度計にブラックシリコンの微細構造と光学特性を研究した。結果はブラックシリコンマイクロ構造高さ2.0~3.5ΜM,半径方向サイズ90~200~400NM,間隔は610NMを示した。400~1 000 NMのスペクトル範囲内でブラックシリコンの吸収率は94%であり,単結晶シリコンである1.5倍;1 2001 700 NMの範囲のスペクトル吸収率は55%~60%であった,Bドープ単結晶シリコンの20倍であった。調製したブラックシリコンの光学バンドギャップは0.6006EVであり,吸収スペクトルは著しく赤外方向へシフトした。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 吸収スペクトル ,  光学的性質 ,  分光光度計 ,  半径方向 ,  *RIE【エッチング】 ,  ドーピング ,  スペクトル ,  光学ギャップ ,  微細構造 ,  吸収係数 ,  走査電子顕微鏡
準シソーラス用語： 単結晶シリコン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： black silicon ,  reactive ion etching ,  non-mask ,  optical property

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： ブラックシリコン ,  マスクレス ,  反応イオンエッチング ,  調製 ,  光学性能 ,  研究